王爽
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- (MOO3)·1/2H2O在高压下的拉曼光谱
- 三氧化钼是一种重要的钼化合物,它具有电致变色、光致变色、光催化降解以及气敏特性等。因此在合成敏感元件、催化剂以及潜在的电池电极等许多功能材料方面具有特殊的用途。然而,很多研究显示三氧化钼的水合物具有电化学嵌锂等特性。同温...
- 刘丹类伟巍陈晓辉郝健金云霞王爽崔启良邹广田
- 钼酸钴的高压拉曼光谱研究
- 钼酸盐和钨酸盐体系因其具有优良电学和催化的特性,在催化剂、光学材料以及电池电极等许多功能材料方面具有特殊的用途,因此引起了科学家的广泛研究。然而,不同温度和压力的条件下,钼(钨)酸盐会以多种形态存在。在低温下钼酸钴为单斜...
- 类伟巍刘丹郝健陈晓辉金云霞王爽崔启良邹广田
- 硅材料的场致线性电光效应被引量：2
- 2009年
- 从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
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- 关键词：非线性光学硅材料
- cBN电光张量的测量
- 用cBN晶体进行电光调制能够实现短波长和高光强调制，所以有必要对cBN晶体的电光张量进行测量。把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量比较方便而又准确，而cBN晶体的硬度仅次于金刚石，目前人工合成的cBN晶体的尺寸普遍...
- 王爽周平伟迟世鹏朱景程贾刚陈占国
- 关键词：半导体材料立方氮化硼调制系统
- 立方氮化硼单晶的电致真空紫外光发射
- 贾刚王爽刘秀环陈占国杨枫高延军
- 关键词：真空紫外光电致发光辉光放电
