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解仁国

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：阿肯色大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米晶体
  • 1篇导体
  • 1篇砷化铟
  • 1篇金属
  • 1篇金属掺杂
  • 1篇晶体
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇半导体纳米晶
  • 1篇半导体纳米晶...
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇阿肯色大学

作者

  • 2篇彭笑刚
  • 2篇解仁国

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
金属掺杂的半导体纳米晶体及其制造方法
提供了掺杂半导体纳米晶体及其制造方法。
彭笑刚解仁国
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砷化铟纳米晶体及其制备方法
本发明提供了所制备状态下的高质量单分散或基本单分散的InAs纳米晶体。在一些实施方式中，所制备的基本单分散InAs纳米晶体呈现出在约700nm到1400nm之间的光致发光。
彭笑刚解仁国
文献传递
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共1页<1>
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