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TbSi_n(n=2-13)团簇的结构、电子及磁学性质(英文)被引量：6: 2011年; 利用相对论密度泛函理论在广义梯度近似下研究TbSin(n=2-13)团簇的结构、稳定性、电子和磁学性质.对团簇的平均结合能、离解能、电荷转移、最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO)的能级差、Mulliken电荷分析和磁学性质进行了计算和讨论.TbSin团簇并没有像实验推测的那样在n=10形成嵌入式的结构.我们推断电子亲和势的急剧变化不仅与嵌入式的结构有关,而且与电子的固有稳定性相关.Mulliken电荷分析表明电荷总是从Tb原子转向Si原子.团簇的磁矩主要局域在Tb原子的周围,并且主要由f电子贡献,f电子表现出局域性并且不参与化学成键.以TbSi10为例的分波态密度分析表明Tb与Si原子间存在很强的sp轨道杂化.; 白燕枝赵高峰沈学锋孙建敏王渊旭; 关键词：密度泛函理论磁矩

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沈学锋