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李向彤

作品数:1 被引量:5H指数:1
供职机构:北海道大学更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇液晶
  • 1篇英文
  • 1篇突变理论
  • 1篇突变模型
  • 1篇尖点突变
  • 1篇尖点突变模型

机构

  • 1篇北海道大学
  • 1篇东京理科大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇东京农工大学

作者

  • 1篇裴东河
  • 1篇小林骏介
  • 1篇孙伟志
  • 1篇李向彤

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇1998
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
近晶型液晶相变的尖点突变模型(英文)被引量:5
1998年
利用突变理论的尖点突变模型对近晶液晶的SmA-SmC相变过程进行了研究。这个相变模型包含状态参数P;与液晶体系的盒厚和表面能相关的参数α;与温度和磁场相关的参数β。从Landau自由能系统的这三组参数出发,得到了两个稳定区和一个亚稳区的相空间。在这三维空间中不同的相变途径得到连续变化、弱连续变化或尖点突变式不连续变化,从而通过尖点突变模型可以预测近晶型液晶体系的状态变化。当磁场强度、盒厚和表面能取常值时,其结果与C.C.Huang等人的研究结果一致。
裴东河李向彤孙伟志孙伟志小林骏介泉屋周一
关键词:突变理论尖点突变模型
全文增补中
共1页<1>
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