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谢涌

作品数:31 被引量:0H指数:0
供职机构:西安电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇电极
  • 5篇低维材料
  • 5篇微电子
  • 5篇光电
  • 4篇生物传感
  • 4篇生物传感器
  • 4篇微电子工艺
  • 4篇硫粉
  • 4篇金属
  • 4篇集成式
  • 4篇光电子
  • 4篇感器
  • 4篇GAN
  • 4篇参比电极
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇旋涂
  • 3篇热板
  • 3篇激光
  • 3篇SUB

机构

  • 30篇西安电子科技...

作者

  • 30篇谢涌
  • 22篇马晓华
  • 9篇张鹏
  • 8篇王湛
  • 6篇郝跃
  • 6篇吴瑞雪
  • 4篇施建章
  • 4篇张晨阳
  • 3篇李培咸
  • 3篇刘政
  • 2篇孙静
  • 2篇毛维
  • 2篇周小伟
  • 2篇李康
  • 2篇陆小力
  • 2篇仲鹏
  • 2篇雷毅敏
  • 2篇周雪皎
  • 2篇李金金
  • 1篇李晓波

传媒

  • 1篇高教学刊

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法
本发明涉及一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法,包括,选取衬底并对其进行超声清洗;将衬底和待反应的前驱体混合物放入反应炉的中央温区,并将待反应的碲粉和硫粉或碲粉和硒粉放入反应炉的气流上游区;对反应炉进行气氛净化;将中...
马晓华王湛王冠飞孙静周伟凡于谦王浩林谢涌
文献传递
阶梯电流阻挡层垂直型功率器件
本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件,主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题,其包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7),沟道层...
毛维石朋毫边照科郝跃马晓华李康谢涌
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基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法
本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法,主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是:1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜;2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目...
马晓华南瑭王湛谢涌李金金吴瑞雪雷毅敏
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一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结
本发明公开了一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结,所述方法包括:在金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜;去除金属箔衬底,并将六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上;将上一步得到的样品经过退火处理后放入生长腔室中,同时在该生...
王浩林谢涌
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一种氧化镓悬空晶体管阵列的制备方法
本发明提供的一种多用途氧化镓悬空晶体管阵列的制备方法,可以作为日盲探测器使用,将氧化镓的光电导型模态与谐振型模态两种深紫外探测模式结合起来,能够有效弥补单一模式面临的缺点,可以提高探测器的动态范围和目标精度。也可以作为晶...
谢涌胡文帅陆小力梁瑜刘晨阳白艳马晓华
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基于CVD法生长MoS<Sub>2</Sub>二维晶体的方法
本发明公开了一种基于CVD法生长MoS<Sub>2</Sub>二维晶体的方法,主要解决传统方法工艺较复杂,可控性差的问题。其实施步骤是:1.对衬底进行超声清洗,将S和MoO<Sub>2</Sub>前驱体置于两个独立的石英...
谢涌王湛吴瑞雪马晓华南瑭詹咏捷严肖瑶
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制备大面积单层二硒化钨单晶的方法
本发明公开了一种制备大面积单层二硒化钨单晶的方法,主要解决了传统制备方法工艺较复杂,可控性差的问题,其实施步骤为:1.选用衬底并进行RCA标准清洗,选取两片衬底依次用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗5分钟,吹干;2.将清洗...
谢涌马晓华何皓南塘王湛吴瑞雪
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一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法
本发明涉及一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法,包括,选取衬底并对其进行超声清洗;将衬底和待反应的前驱体混合物放入反应炉的中央温区,并将待反应的碲粉和硫粉或碲粉和硒粉放入反应炉的气流上游区;对反应炉进行气氛净化;将中...
马晓华王湛王冠飞孙静周伟凡于谦王浩林谢涌
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具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法
本发明公开了一种具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法,本发明提出的基于GaN生物传感器的集成式固态薄膜Pt参比电极与GaN生物传感器现用外置Pt参比电极相比,电极位置固定,采用微电子工艺制作,参比电...
张鹏张晨阳谢涌马晓华施建章郝跃
阶梯电流阻挡层垂直型功率器件
本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件,主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题,其包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7),沟道层...
毛维石朋毫边照科郝跃马晓华李康谢涌
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