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龙佳

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：云南大学更多>>
相关领域：理学历史地理社会学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇社会学
  • 1篇历史地理
  • 1篇理学

主题

  • 2篇石墨
  • 2篇溅射
  • 2篇光电
  • 1篇电器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇熔化
  • 1篇生长温度
  • 1篇石墨烯
  • 1篇探测器
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇温差
  • 1篇温差变化
  • 1篇烯基
  • 1篇校订
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇民族

机构

  • 5篇云南大学

作者

  • 5篇龙佳
  • 3篇杨杰
  • 3篇杨宇
  • 3篇王荣飞
  • 2篇王茺
  • 2篇张瑾
  • 2篇刘静
  • 1篇邱锋
  • 1篇邱峰

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
明清时期云南哈尼族民族关系研究
本研究旨在以哈尼族历史时期的民族关系为主线,围绕自然环境、政治设置、经济互通、文化交流等角度,梳理出明清时期哈尼族与中央王朝、与汉民族、与周边各民族之间交往互动的民族关系,探究明清哈尼族先民与各民族彼此间交往互动模式及王...
龙佳
关键词：明清时期哈尼族民族关系
一种离子束溅射技术制备高结晶性Ge/Si多层膜的方法
本发明提供一种离子束溅射技术制备高结晶性Ge/Si多层膜的方法，属于半导体低维结构薄膜材料的制备技术领域。本发明基于超高真空离子束溅射技术，以氩（Ar）气为工作气体，在真空度小于3.0×10<Sup>‑4</Sup> P...
杨宇刘静王荣飞王茺杨杰龙佳
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一种温控表显温度与材料生长温度间偏差的校订方法
本发明目的在于提供一种材料生长设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于为各种溅射设备配置的加热控温系统。该方法利用金属在一定条件下具有已知固定熔点的特性，将金属薄片挤压贴合于基片表面，通过加热系统...
杨宇舒启江王荣飞王茺龙佳刘静杨杰邱峰张瑾
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退火改性对Ge、Si薄膜晶化的研究及石墨烯上Ge QDs的溅射生长
近几十年以来,Si、Ge作为代表性的四族半导体材料,因其特殊的性质以及在信息、能源、环境等材料领域的应用潜力,为新型固态电子、光电子器件及基础理论研究提供了一种优选材料。本论文主要从事Ge、Si薄膜材料和零维材料的研究。...
龙佳
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一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法
本发明属于半导体纳米复合材料制备技术领域，特别是涉及一种高温石墨烯基底上直接生长Ge量子点的方法。本发明采用溅射沉积技术，在高温条件下的石墨烯基的衬底上，直接溅射生长Ge量子点，溅射生长时间为100 s~500 s。本发...
杨宇童领龙佳邱锋王荣飞张瑾杨杰
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