于天宝
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金湖南省科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究被引量：2
- 2018年
- 为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)电学特性的影响,IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时,IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布,证实了悬浮栅(floating gate,FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法,提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合,较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.
- 覃婷黄生祥廖聪维于天宝罗衡刘胜邓联文
- 关键词：INGAZNO薄膜晶体管
- 同步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管电势模型研究被引量：3
- 2017年
- 研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)的沟道电势,利用表面电势边界方程联合Lambert函数推导得到了器件沟道电势的解析模型.该模型考虑了IGZO薄膜中存在深能态及带尾态等缺陷态密度,能够同时精确地描述器件在亚阈区(sub-threshold)与开启区(above threshold)的电势分布.基于所提出的双栅IGZO TFT模型,讨论了不同厚度的栅介质层和有源层时,栅-源电压对双栅IGZO TFT的表面势以及中心势的调制效应.对比分析了该模型的计算值与数值模拟值,结果表明二者具有较高的符合程度.
- 覃婷黄生祥廖聪维于天宝邓联文
- 关键词：解析模型
- 基于数据线控制发光的A-IGZO薄膜晶体管集成AMOLED像素电路（英文）
- 2018年
- 本文提出了一种采用铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器的新型补偿结构。它利用数据线关闭电源和驱动晶体管之间的控制晶体管,以抑制编程期间的泄漏电流。在所提出的电路和传统电路之间进行电路性能的比较,表明所提出的像素电路可以有效地补偿驱动晶体管的阈值电压偏移和迁移率变化。当VTH飘移2 V和μ增加30%时,IOLED误差率可以分别降低至小于5%和9%。此外,由于使用同时驱动方法,因此所需的最小编程时间可以被详细推导出来。所提出的像素电路的编程能力和机制已经通过FPGA平台和离散的场效应器件所证实。尽管所提出的像素电路具有非常简单的驱动结构,但它能够提高补偿精度。
- 王兰兰鲁力于天宝廖聪维黄生祥邓联文
- 关键词：像素电路
