于本方
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能被引量：6
- 2009年
- 用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为150 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15μC/cm2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.
- 余洋胡忠强邱达裴玲于本方李美亚
- 关键词：铁电性介电性磁性
- LaNiO_3底电极上Bi_4Zr_(0.5)Ti_(2.5)O_(12)薄膜的制备及性能
- 2007年
- 利用Sol-gel法在p-Si(111)衬底上制备了LaNiO3底电极,再利用Sol-gel法在LaNiO3底电极上制备出Bi4Zr0.5Ti2.5O12(BZT)铁电薄膜,对其微观结构和电学性能进行了研究.利用X射线衍射仪、原子力显微镜和扫描电镜观测其微观结构,发现制备的BZT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,并且薄膜表面晶粒尺寸均匀,结晶情况良好.对Pt/BZT/LaNiO3电容结构进行了铁电性能研究,在测试电压为25V时,2Pr和2Vc分别达到28.2μC/cm2和14.7V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约13/;室温下,在测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为204,介电损耗为0.029;漏电流测试显示制备的BZT薄膜具有良好的绝缘性能;C-V曲线为顺时针方向回滞,存储窗口大约为3.0V,C-V特性测试显示这种Pt/BZT/LaNiO3结构有望实现极化型存储.
- 郭冬云李美亚刘军裴玲于本方赵兴中杨斌王耘波于军
- 关键词：SOL-GEL法铁电性能
- 前驱体中Bi含量对Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜结构和性能的影响
- 2007年
- 近年来研究表明对Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)进行适量镧系元素掺杂得到的铁电薄膜具有较大的剩余极化值和优良的抗疲劳性能,因而是制作铁电存储器的理想材料之一,也是近年来国际上新型功能材料研究的热点。报道了采用sol-gel工艺制备Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜,以硝酸铋(Bi(NO_3)_3)、硝酸铈(Ce(NO_3)_3)和钛酸四丁酯(Ti(OC_4H_9)_4)为原料,以乙二醇甲醚和乙酰丙酮为溶剂制备出BCT前驱体,其中铋含量分别为90%,100%和110%(摩尔分数);采用旋转涂膜法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备BCT薄膜,将制备的湿膜放入350℃的炉内烘烤15min,使有机溶剂挥发和有机物分解,得到无定形态薄膜,重复上述涂膜和烘烤过程,得到所需厚度的薄膜。实验中制备的BCT薄膜样品厚度为600 nm。薄膜样品的退火处理条件:在氧气气氛中,从室温以10℃/min的升温速率升至650℃,保温30min,然后随炉冷却至室温。利用D/Max-RB型X射线衍射仪对制备的系列BCT薄膜样品进行晶相分析,采用CuKα辐射(波长λ为0.154nm);利用扫描探针显微镜(AFM,SPM-9500J3)对样品进行表面形貌观察。利用磁控溅射方法制备Pt上电极,电极面积为8×10^(-4)cm^2,得到Pt/BCT/Pt电容结构,以测试其电学性能。制备电极后的样品在500℃的氧气气氛中退火10min。利用Radiant Precision Workstation铁电测试仪测量其铁电性能、疲劳特性和漏电流;用Agilent 4294A型阻抗分析仪测量薄膜样品的介电性质;其所有电学性能测试均在室温下完成。主要研究前驱体中Bi含量对其晶格结构、表面形貌、铁电性能、介电性能、疲劳特性和漏电流等性能的影响并进行了分析。
- 郭冬云李美亚刘军于本方杨斌王耘波于军
- 关键词：铁电薄膜LA掺杂
- Sol-gel法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜及其性能被引量：2
- 2007年
- 采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)薄膜.制备的BLT薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对700℃退火处理的BLT薄膜进行了铁电性能、疲劳特性和漏电流测试:在测试电压为10V时,剩余极化值2Pr大约是18.6μC/cm2,矫顽电压2Vc大约为4.1V;经过1×1010次极化反转后,剩余极化值下降了大约10%;漏电流测试显示制备的BLT薄膜具有良好的绝缘性能.室温下,在测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为176,介电损耗为0.046.
- 郭冬云李美亚裴玲于本方吴庚柱赵兴中王耘波于军
- 关键词：SOL-GEL法铁电性能漏电流
- Sol-gel法制备Bi3．4Ce0．6Ti3O12铁电薄膜及其性能被引量：1
- 2008年
- 采用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对其微观结构进行了观察,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,而且表面平整致密.对Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜的介电、铁电、疲劳和漏电流等性能进行了研究,结果表明:室温下,在测试频率1 kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.031;在测试电压为600 kV·cm-1,其剩余极化值2Pr达到了67.1μC·cm-2,具有较大的剩余极化值,矫顽场强2Ec也达到了299.7kV·cm-1;经过4.46×109次极化反转后,没有发生疲劳现象,表现出良好的抗疲劳特性;漏电流测试显示制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有良好的绝缘性能.
- 郭冬云李美亚刘军于本方裴玲于军王耘波杨兵
- 关键词：铁电性能介电性能
- YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性被引量：1
- 2008年
- 利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织构取向,利用Raman光谱表征了其超导相的品质和取向特性,利用扫描电镜和原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌和粗糙度.考察了不同厚度的CeO2层对YBa2Cu3O7-x生长和性质的影响.发现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长和性能对CeO2的不同厚度具有显著而独特依赖性,讨论了其可能的机理.
- 李美亚汪晶刘军于本方郭冬云赵兴中
- Sol-Gel法制备Bi_4Ti_3O_(12)薄膜及其性能研究被引量：3
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BTO)铁电薄膜,利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其晶格结构和表面形貌进行了表征,制备的BTO薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构和表面平整致密。对700℃退火的BTO薄膜进行了铁电性能和疲劳特性测试,在测试电压为6 V时,剩余极化值2Pr约为12.5μC/cm2,矫顽电场2Ec约为116.7 kV/cm;经1×109次极化反转后,剩余极化值下降了24%,对其疲劳机理进行了探讨。
- 郭冬云李美亚裴玲于本方吴庚柱王耘波杨斌于军
- 关键词：铁电性能
- La和Nd掺杂的硅基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的无疲劳特性及其机理的比较研究被引量：1
- 2009年
- 采用优化的溶胶-凝胶（Sol—gel）技术，同一工艺条件下在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上成功地制备了Bi3.25La0.75Ti3O12（BLT）和Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNT）铁电薄膜．X射线衍射（XRD）测试表明BLT和BNT薄膜具有单相的取向随机的多晶微结构；扫描电镜（SEM）的观测显示了这些薄膜具有50～100nm晶粒构成的均匀致密的表面形貌．利用铁电测试仪测定了以Cu为上电极而形成的金属-铁电薄膜-金属结构的电容器的铁电性能，得到了很好的饱和电滞回线．在最大外加场强为400kV／cm时，BLT和BNT薄膜的剩余极化强度（2Pr）和矫顽电场（2Ee）分别为25．1gC／cm^2，203kV／cm和44．2gC／cm^2，296kV／cm．疲劳测试表明，在1MHz频率测试下经过1．75×10^10次读写循环后，由BLT和BNT薄膜组成的电容器几乎没有表现出疲劳，呈现很好的抗疲劳特性．分析比较了La和Nd掺杂对薄膜结构及铁电性能的影响及其机理．
- 李美亚裴玲刘军于本方郭冬云孙小华赵兴中
- 关键词：BLTBNT铁电性质溶胶-凝胶技术
