王姝娅
- 作品数：33 被引量：34H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程文化科学电气工程更多>>
- 一种基于ZnMgO的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于ZnMgO的阻变存储器及其制备方法，解决了现有技术中公开的掺杂的ZnO材料应用到阻变存储器中依然存在工作电压相对较高、开关比和抗疲劳特性不足的问题。本发明中的一种基于ZnMgO的阻变存储器，包括从下到...
- 戴丽萍申野张国俊王姝娅钟志亲
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- 一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法
- 本发明涉及微电子技术领域，一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，包括以下步骤：(1)使用标准RCA清洗碳化硅片，并用氮气吹干；(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀；(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、A...
- 许龙来钟志亲余鹏王文昊张国俊戴丽萍王姝娅王志明宋文平夏万顺
- 一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法
- 本发明涉及一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法，属于非挥发存储器领域。该忆阻器的特征在于：从下至上依次为硅衬底，绝缘层，底电极，阻变层以及顶电极。其中阻变层材料采用氧化钛薄膜，底电极材料采用钛，顶电极材料采用铂。制备出的氧化钛薄...
- 周梨钟志亲王姝娅
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- Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究
- 2014年
- 在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO2薄膜进行了1 100℃以下不同温度的退火,采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明,600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示,600℃退火后LO峰强度最强,认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明,600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时,漏电流密度仅仅只有5×10?8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO2的致密性。
- 钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词：4H-SIC退火温度致密性SIO2
- 一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法
- 本发明公开一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法，所述的微加速度计采用SOI硅片制成，包括惯性质量块、敏感结构、外联电极三部分。惯性质量块为中心对称的米字型结构，包括中心的主质量块，以及延伸出的8个矩形质量块，矩...
- 冯堃张国俊王姝娅
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- O型MEMS平面微弹簧弹性系数研究被引量：1
- 2011年
- 对封闭O型MEMS平面微弹簧建立力学分析模型,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧弹性系数的计算公式,并用ANSYS进行有限元仿真,仿真结果表明,两者的相对误差低于2%。在计算公式和仿真的基础上,研究了各种结构参数对弹性系数的影响规律,结果表明,弹性系数随节数和弯半径的增大而减小,随梁宽和厚度的增大而增大。研究结果为其他封闭结构的MEMS平面微弹簧的分析和设计提供了一定的借鉴。
- 吴鹏飞张国俊钟志亲戴丽萍王姝娅
- 关键词：平面微弹簧
- 一种基于SOI的三轴电容式微加速度计
- 基于SOI的三轴电容式微加速度计包括SOI基片、带阻尼孔的单一质量块、蛇形弹性梁、固定梳齿、与质量块相连的可动梳齿。使用SOI表面加工技术，使制造工艺能与普通的集成电路工艺兼容，降低成本。结构为中心对称图形，通过单一质量...
- 戴丽萍宋文平夏万顺许龙来王姝娅钟志亲张国俊
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- 高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究
- 2012年
- 为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。
- 王伟宾霍伟荣赵远远王姝娅束平张国俊
- 关键词：湿法刻蚀LDMOS刻蚀速率
- 一种平行双触点接触式开关的制造方法
- 本发明公开了一种平行双触点接触式开关的制造方法，属于微机械体硅加工技术领域。本发明在沉积极板绝缘层后先刻蚀锚点，其余位置绝缘层保留下来，利用绝缘层将信号电极和驱动电极覆盖起来从而保护信号电极和驱动电极，去除种子层后再进行...
- 张国俊欧书俊王姝娅戴丽萍钟志亲
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- 一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法
- 本发明公开了一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法，属于半导体技术领域，具体涉及钽酸锂晶体微图形化，以解决各层材料间应力较大使图案易被破坏的问题，包括：在光刻胶表面依次镀Ti金属掩膜和Cr金属掩膜；用剥离法在钽酸锂基底...
- 曹明才钟志亲罗文博李茂荣戴丽萍王姝娅
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