于贺
- 作品数：9 被引量：42H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 平面磁控溅射薄膜厚度均匀性的研究概述被引量：8
- 2010年
- 在平面磁控溅射镀膜系统中,薄膜厚度均匀性作为衡量薄膜质量和成膜系统性能的一项重要指标,得到了国内外学者们的广泛研究。本文以膜厚分布的理论模型为出发点,从工艺条件及模型参数两个方面,对靶与基片的位置关系、基片的运动方式、靶材的形状、溅射功率、工作气压、工作模式等各种影响以及改善薄膜厚度均匀性的因素进行了系统的归纳和陈述。最后对平面磁控溅射镀膜系统膜厚分布的研究进展进行总结并提出了展望。
- 于贺吴志明王涛蒋亚东姜晶靖红军
- 关键词：磁控溅射
- 公-自转磁控溅射镀膜系统薄膜沉积均匀性的研究被引量：13
- 2010年
- 研究了公-自转磁控溅射镀膜系统的机理。通过物理建模,使用交点采集和时间步长划分两种模型,分别计算模拟了矩形靶沉积时间的三维分布图,并讨论自转与公转转速比对沉积时间均匀性的影响。模拟结果表明:两种模型仿真结果一致,验证了理论模型的正确性。同时得到结论:此公-自转系统可以通过调节转速比的方法来改善薄膜厚度的均匀性,采用文中指定工艺参数,当转速比等于0.5的时候,薄膜厚度最均匀。仿真得到的偏差结果与实验较好的吻合。
- 于贺王涛吴志明蒋亚东陈超董翔靖红军
- 关键词：磁控溅射膜厚均匀性
- 脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究被引量：1
- 2015年
- 室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293～368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.
- 董翔吴志明许向东于贺顾德恩蒋亚东
- 关键词：氧化钒电学性质VOX
- 磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究被引量：1
- 2009年
- 首先使用有限元分析方法求解磁控溅射电磁场的分布,然后结合受力分析,仿真了单电子运动轨迹并较好地呈现螺旋形状,同时模拟出多粒子束的靶面位置分布以及刻蚀形貌图,最后把计算结果与实验中靶面刻蚀形貌进行对比,所求结果与实验测量数据吻合。
- 于贺王涛吴志明蒋亚东姜晶靖红军
- 关键词：磁控溅射
- 革命性的新材料——黑硅被引量：18
- 2010年
- 黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质。概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平板显示器等领域的重要潜在应用价值。
- 姜晶吴志明王涛郭正宇于贺蒋亚东
- 关键词：飞秒激光器微构造光电性质
- 基于超薄钽酸锂晶体材料高响应太赫兹探测器（英文）被引量：3
- 2016年
- 太赫兹(Thz)探测器工作在室温条件下极大地促进了太赫兹科学与技术的应用。超薄(10μm)钽酸锂(LiTaO_3)晶片被用作太赫兹探测器敏感元材料。基于钽酸锂晶片太赫兹探测器在2.52 THz激光辐射源照射下,20Hz斩波频率时响应率可达到8.38×10~4V/W,等效噪声功率NEP)可达到1.26×10^(-10)W。这种加工超薄钽酸锂晶片的方法为制备高响应率太赫兹探测器提供了一个可行的方法。
- 梁志清刘子骥蒋亚东郑兴王涛于贺
- 关键词：噪声等效功率
- 多工位磁控溅射镀膜系统膜厚均匀性的研究被引量：3
- 2010年
- 本文建立了多工位公自转磁控溅射系统镀膜过程的物理模型,通过把基片运动与镀膜过程的模拟结合在一起,运用时间步长划分的算法仿真公自转系统下矩形靶沉积的三维膜厚分布,并使用同样的方法计算纯自转磁控溅射系统沉积薄膜的厚度分布,最后将两个结果进行对比。研究表明,随着自转与公转速度比例的调节,公自转系统在最优转速比0.5时所制得的薄膜厚度均匀性较纯自转系统得到明显地改善,此结论与实验结果保持一致。
- 王涛于贺吴志明蒋亚东董翔
- 关键词：磁控溅射膜厚均匀性
- 斜入射条件下微测辐射热计的光学特性研究
- 2011年
- 针对典型的微测辐射热计单元结构的设计,依据光学导纳矩阵方法,用Matlab软件分析了多层薄膜的光学特性,获得了理论上红外吸收率最大时吸收层的厚度0.1μm和空腔的高度2μm,通过理论计算得到了斜入射条件下红外吸收率随入射角的变化规律,与常规的计算方法——垂直入射条件下得到的红外吸收率相比,它更接近于实际情况,仿真计算结果更加准确。结果表明：器件在8~14μm波段有80%以上的红外吸收率,并且当微桥形变很小时,器件依然有很高的红外吸收率。
- 赵赫男王涛陈超于贺蒋亚东
- 关键词：微测辐射热计斜入射
- 脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的光谱椭偏研究
- 2015年
- 采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜。利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300~850nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究。实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用TaucLorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数Ψ和Δ进行拟合,得到了较为理想的拟合结果。薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定,结果发现占空比的下降,导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高。
- 董翔吴志明许向东于贺顾德恩蒋亚东
- 关键词：氧化钒薄膜占空比
