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黄荣厦: 作品数：37 被引量：11H指数：2; 供职机构：广东工业大学机电工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金湖北省科技攻关计划湖南省科技攻关计划更多>>; 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>

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一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法: 本发明公开了一种稀土钡铜氧高温超导膜的制备方法，包括：a)将稀土金属盐、钡盐、铜盐和掺杂元素化合物按比例称量分散于溶剂中，得前驱物，掺杂元素化合物在300-650℃和氧气氛围下能生成掺杂元素的氧化物；b)将前驱物涂于基底...; 冯峰黄荣厦瞿体明吴蔚薛韵然史锴韩征和; 文献传递

直接反应烧结法制备(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(1-x)Ba_xTiO_3系无铅压电陶瓷的性能研究被引量：3: 2007年; 采用直接反应烧结法制备了(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的压电性能和显微结构。结果表明,直接反应烧结法不影响BNBT陶瓷的钙钛矿相结构,但可使准同型相界处组成的四方相含量增加;直接反应烧结的BNBT陶瓷呈无变形,收缩率稍大于采用传统固相法制成的陶瓷样品,晶粒明显较大,并具有更好的压电介电性能,其中,d33=166pC/N,tanδ=0.03。; 黄荣厦周桃生顾豪爽彭绯柴荔英; 关键词：无铅压电陶瓷

0.95(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-0.05Li(Nb_(0.5)Sb_(0.5))O_3无铅压电陶瓷的显微结构分析与电学性能: 2011年; 采用传统固相反应合成法制备0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05Li(Nb0.5Sb0.5)O3基无铅压电陶瓷,研究了烧结温度对0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05Li(Nb0.5Sb0.5)O3陶瓷相结构、显微组织和压电介电性能的影响。结果表明,在960~1060℃的温度区间内,所得到的一系列烧结样品在室温下均为纯的钙钛矿型结构,未观察到第二相出现;随着烧结温度的升高,晶粒的平均尺寸显示出先增大后减小的趋势,在1020℃时晶粒的平均粒径达到最大值3.5μm。电学性能分析表明,烧结温度为1020℃时,该体系陶瓷压电介电性能达到最优值:d33=245pC/N,kp=0.42,tanδ=0.03,ε3T3/ε0=640,Ec=2.1kV/mm,Pr=20μC/cm2。; 赵永杰赵玉珍黄荣厦刘荣正周和平; 关键词：无铅压电陶瓷压电性能介电性能

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板: 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，包括：将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。相应的，本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯，其由上述制备方法制...; 黄荣厦吴建波刘超华林华泰; 文献传递

铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡基压电陶瓷的制备方法，其包括：(1)将氧化铋、氧化铁、钛酸钡、掺杂剂按照(0.3～0.4)：(0.3～0.37)：(0.2～0.35)：(0.002～0.003)的摩尔比混合，得到混合物；(...; 黄荣厦张艺杜祖超戴叶婧林华泰

低温烧结K0.5Na0.5NbO3-FeTiO3无铅压电陶瓷: 本文采用传统固相法制备KNaNbO-FeTiO无铅压电陶瓷,研究了FeTiO(FT)的添加对KNaNbO陶瓷压电介电性能、相结构及显微组织的影响。结果表明,当FeTiO添加量达到0.4mol%时,可在较低的; 黄荣厦赵玉珍赵永杰周和平; 文献传递

SiC晶须-ZrO_(2)相变协同强韧化碳化硅陶瓷: 2021年; 以Al_(2)O_(3)和ZrO_(2)作为复合烧结助剂,在1800℃、30 MPa的条件下,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备高致密的SiC陶瓷。研究碳化硅晶须(SiC_(w))的不同添加量对SiC陶瓷微观结构、相组成和力学性能的影响。研究结果表明,样品主要包含β-SiC、t-ZrO_(2)、m-ZrO_(2)三种晶相。SiC_(w)的添加会阻碍SiC晶粒的生长,适量的SiC_(w)的添加,可显著提高样品的综合力学性能,当SiC_(w)含量为20 wt.%时,样品的断裂韧性和抗弯强度分别达到5.35 MPa·m^(1/2)和650 MPa。裂纹扩展路径表明,样品存在由SiC_(w)和ZrO_(2)协同作用引起的裂纹偏转和裂纹桥接等增韧机制,因而其强度和韧性获得了提高。; 熊顺进黄荣厦刘荣正杜祖超吴建波冯津; 关键词：断裂韧性抗弯强度

一种硅粉流延制备氮化硅陶瓷基板的方法: 本发明公开了一种硅粉流延制备氮化硅陶瓷基板的方法，属于绝缘基板技术领域。本发明以硅粉和无机助烧添加剂为原料，以蓖麻油为分散剂，以聚乙烯醇缩丁醛为粘接剂，根据硅粉表面的化学状态和颗粒尺寸，加入有利于硅粉流延成型的增塑剂，制...; 黄荣厦叶顺达吴有亮林华泰; 文献传递

一种氮化硅陶瓷基板的制备方法: 本发明公开一种氮化硅陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：将硅粉、氮化硅粉、烧结助剂、分散剂混合，加入溶剂，进行第一次球磨，再加入粘接剂和增塑剂，进行第二次球磨，经真空脱泡后，得到浆料，所述硅粉与氮化硅粉的质量比为(1：10...; 黄荣厦李文杰吴有亮叶顺达林华泰; 文献传递