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罗世钧

作品数:3 被引量:8H指数:1
供职机构:广州大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目广州市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇溶胶
  • 2篇纳米
  • 2篇WO
  • 2篇掺杂
  • 1篇氧化钨
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇三氧化钨
  • 1篇势垒
  • 1篇气敏
  • 1篇铈掺杂
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土元素
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉体

机构

  • 3篇广州大学

作者

  • 3篇罗世钧
  • 2篇洪求三
  • 2篇陈环
  • 2篇傅刚

传媒

  • 2篇传感器与微系...

年份

  • 3篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
WO/_3纳米粉体制备及其对VOC气体敏感特性研究
三氧化钨/(WO/_3/)是一种重要的功能材料,在光电、电致变色、铁电、催化等方面已被广泛地研究。同时,由于其良好的气敏性能得到而越来越多的研究。甲苯等挥发性有机化合物/(Volatile Organic Compoun...
罗世钧
关键词:稀土元素灵敏度肖特基势垒
文献传递网络资源链接
铈掺杂WO_3纳米材料气敏特性研究被引量:7
2007年
以金属W粉为原料采用溶胶—凝胶法制得纳米级WO3粉体,探讨了不同CeO2添加量对气敏特性的影响。CeO2掺杂WO3材料对挥发性有机化合物(VOCs)气体灵敏度有显著提高,而器件的工作温度有所降低。FE—SEM测试结果说明:CeO2掺杂对晶界的移动形成某种"钉扎"效应,使晶粒减小,比表面积增大。复阻抗谱分析认为,Ce4+主要存在于晶界,使晶界电阻增大,晶界电容减小,提高了WO3材料的气敏特性。
罗世钧傅刚陈环洪求三
关键词:溶胶-凝胶法三氧化钨
Ag掺杂的SnO_2酒敏薄膜敏感特性研究被引量:1
2007年
采用非醇盐溶胶—凝胶工艺在A l2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示:薄膜晶粒呈球形,600℃热处理粒径为20 nm左右。热处理温度升高,晶粒尺寸增大。气敏性能采用静态法测试,掺Ag薄膜对体积分数为50×10-6乙醇和汽油气体的灵敏度分别为32.7和4.9,与未掺Ag薄膜的14.4和7.2相比较,提高了乙醇气体灵敏度,抑制了汽油气体灵敏度,使选择性得到改善。直流加热条件下,试样电阻和电容在老化初期变化较大,数天后趋于稳定,复阻抗分析表明:长期稳定性与晶粒间界处电阻和电容值的变化有关,来源于晶界势垒高度和势垒宽度的变化,其本质可能是直流偏压作用下晶界层中的离子迁移。
洪求三傅刚陈环罗世钧
关键词:SNO2薄膜溶胶-凝胶AG掺杂
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