周志刚
- 作品数：6 被引量：47H指数：3
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量：2
- 2002年
- 文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化 。
- 周志刚王耘波于军谢基凡徐静平刘刚王华朱丽丽
- 关键词：场效应晶体管I-V特性极化
- 纳米ZnO浆料的制备研究被引量：2
- 2011年
- 浆料的制备是采用丝网印刷工艺制备金属氧化物半导体气敏传感器过程中的关键。浆料由有机载体、功能相和玻璃相组成。有机载体包括溶剂和助剂,通过比较不同溶剂组分的配比和不同含量助剂的添加得出松油醇、丁基卡必醇醋酸酯和邻苯二甲酸二丁酯按质量比为6∶3∶1组成的混合溶剂及添加物的质量分数分别为:乙基纤维素6%、司班85 4%和1,4-丁内酯1%,添加使有机载体获得良好的层次挥发性和流变性。采用优化的有机载体作为溶剂,分别以纳米ZnO和硼硅酸盐玻璃为功能相和玻璃相并按94∶6的比例混合,考察了纳米ZnO的尺寸、固液相比和印刷后的流平时间对气敏浆料印刷性能的影响,试验发现针对商业纳米ZnO(100 nm),固液比例为6.5∶3.5,印刷后流平30 min为宜。
- 周志刚周春红胡木林
- 关键词：厚膜浆料丝网印刷ZNO
- 铁电存储器研究进展被引量：21
- 2002年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
- 周志刚王耘波王华于军谢基凡郭冬云
- 关键词：铁电存储器铁电薄膜FRAMFFET
- SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究被引量：3
- 2001年
- 用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。
- 周志刚朱丽丽郭冬云王耘波徐静平
- 关键词：铁电薄膜SBTSOL-GEL法铁电性能
- 掺入SiO_2纳米颗粒对厚膜ZnO气敏传感器气敏性能的影响被引量：11
- 2011年
- 利用丝网印刷技术,制备出掺入SiO2和未掺入SiO2的ZnO厚膜气敏传感器,测试对甲醇和乙醇的气敏性能,并用场发射扫描电子显微镜(FESEM)来分析表征气敏膜的微观形貌。结果表明SiO2的掺入有效地抑制了ZnO晶粒的长大。在工作温度为400～450℃时,SiO2的掺入显著提高了ZnO厚膜气敏传感器对甲醇和乙醇的敏感度,而在工作温度为200～350℃时,SiO2的掺入明显抑制了ZnO厚膜气敏传感器对甲醇和乙醇的敏感度。另外,SiO2的掺入使气敏传感器的响应时间显著延长了。最后,讨论了厚膜气敏传感器的气敏机理。
- 孙迎伟胡木林周志刚
- 关键词：ZNO厚膜气敏传感器
- 金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展被引量：11
- 2011年
- 金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。
- 周志刚胡木林李鄂胜
- 关键词：气敏传感器金属氧化物半导体稳定性
