您的位置: 专家智库 > >

陈良

作品数:14 被引量:6H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市科委基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 6篇电路
  • 4篇漂移区
  • 4篇放大器
  • 4篇半绝缘
  • 4篇MOS器件
  • 4篇槽栅
  • 4篇场效应
  • 3篇转换器
  • 3篇芯片
  • 3篇A/D
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低压CMOS
  • 2篇地线
  • 2篇电导调制
  • 2篇电压
  • 2篇电源
  • 2篇电阻
  • 2篇时延
  • 2篇锁存

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇国防科学技术...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇陈良
  • 6篇陈光炳
  • 5篇张正平
  • 4篇谭开洲
  • 4篇蒋和全
  • 4篇杨永晖
  • 4篇崔伟
  • 4篇邱盛
  • 3篇刘涛
  • 3篇李儒章
  • 3篇王育新
  • 2篇王永禄
  • 2篇付东兵
  • 2篇王妍
  • 2篇李梁
  • 2篇黄兴发
  • 1篇刘林涛
  • 1篇张俊安
  • 1篇王友华
  • 1篇余金山

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
输出共模电压稳定的开环放大器
本发明涉及一种输出共模电压稳定的开环放大器,它包括一个主放大器单元和一个辅助放大器单元。与常规的输出共模电压稳定的负反馈放大器相比,本发明电路的主放大器在开环结构下差分输出共模电压稳定;主放大器差分输出端未采用共模反馈电...
张正平王永禄陈光炳陈良刘明
电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法,本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件,在槽栅MOS器件的基础上,于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板,在槽栅结构控制MOS...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖李孝权王鹏飞裴颖李光波蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
文献传递
介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法,本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件,在槽栅MOS器件的基础上,于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板,在槽栅结构控制M...
谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
芯片ESD保护电路
本发明提供一种芯片ESD保护电路,包括集成电路层和导电层,其中集成电路层中第一电源域和第二电源域上分别设置有与第一电源域的第一地线连接的第一地焊盘,且第一地焊盘键合在导电层上;第二电源域上设置有第二电源钳位单元,第二电源...
王妍刘涛陈光炳王育新付东兵杨煜军陈良蒲阳
文献传递
一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路被引量:5
2012年
介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。
张俊安陈良杨毓军张瑞涛王友华余金山
关键词:上电复位电路CMOSNMOS
介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法,本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件,在槽栅MOS器件的基础上,于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板,在槽栅结构控制M...
谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
文献传递
电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法
本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法,本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件,在槽栅MOS器件的基础上,于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板,在槽栅结构控制MOS...
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖李孝权王鹏飞裴颖李光波蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
文献传递
输出共模电压稳定的开环放大器
本发明涉及一种输出共模电压稳定的开环放大器,它包括一个主放大器单元和一个辅助放大器单元。与常规的输出共模电压稳定的负反馈放大器相比,本发明电路的主放大器在开环结构下差分输出共模电压稳定;主放大器差分输出端未采用共模反馈电...
张正平王永禄陈光炳陈良刘明
文献传递
集成在A/D转换器芯片上的开关噪声抑制电路
本发明涉及一种集成在A/D转换器芯片上的开关噪声抑制电路,它包括一个正基准通路RC网络和一个负基准通路RC网络,通过这两个RC电阻电容网络,来抑制流水线正基准VREF+和负基准VREF-的SSN噪声,使高速高精度流水线A...
高煜寒刘林涛李儒章陈良
文献传递
一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器被引量:1
2019年
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计。辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV·cm^2/mg,满足宇航电子系统的应用要求。
陈良刘涛雷郎成胡永贵王育新
关键词:总剂量辐射A/D转换器
共2页<12>
聚类工具0