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马陈鹏

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇LINBO3
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能研究
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇迁移率
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇介质层
  • 1篇晶体管
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO:AL
  • 1篇LINBO

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇马陈鹏
  • 1篇吴智鹏
  • 1篇朱俊
  • 1篇邓杰

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
LiNbO_3/ZnO:Al集成结构的外延生长及电性能研究
2013年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在蓝宝石衬底上先后外延生长了ZnO:Al(ZAO)和LiNbO3(LN)薄膜。通过X射线衍射分析(XRD)可知二者之间的外延关系为:LN(001)//ZAO(001)、LN[110]//ZAO[110]、LN[100]//ZAO[120]。制备了Au/LN/ZAO和ZAO/LN/ZAO两种电容器结构,对其进行了电流-电压(J-E)测试和铁电(P-E)分析,结果表明:LN/ZAO集成结构具有整流作用,ZAO/LN/ZAO结构表现出较好的绝缘性能,所制备的LN薄膜在室温下的剩余极化强度(Pr)约为1×10–6C/cm2,温度的升高能够促进电畴的翻转,使Pr增加为3×10–6C/cm2。
邓杰朱俊吴智鹏马陈鹏
关键词:脉冲激光沉积LINBO3ZNO
使用LiNbO3作为栅介质层的高电子迁移率晶体管研制
随着电子信息产业的发展和世界范围内对环境问题、能源问题的关注,电子信息系统需要器件能以更低的能耗、更小的体积、更快的速度运行,导致了电子元器件的发展趋势是集成化、微型化。在电子元器件中,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体...
马陈鹏
关键词:高电子迁移率晶体管
文献传递
共1页<1>
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