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许志勇

作品数:11 被引量:15H指数:3
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基金四川省科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 9篇铁氧体
  • 4篇微观结构
  • 4篇磁性能
  • 3篇铁氧体薄膜
  • 3篇钡铁氧体
  • 2篇溅射
  • 2篇钡铁氧体薄膜
  • 2篇ZNO
  • 2篇MNZN铁氧...
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇形貌
  • 1篇氧含量
  • 1篇折叠手机
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇手机
  • 1篇手机天线
  • 1篇损耗
  • 1篇天线
  • 1篇铁磁

机构

  • 11篇电子科技大学
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇四川压电与声...
  • 1篇四川固体电路...
  • 1篇成都工业学院

作者

  • 11篇许志勇
  • 10篇兰中文
  • 8篇孙科
  • 8篇余忠
  • 3篇姬海宁
  • 3篇朱光伟
  • 3篇李乐中
  • 2篇张霞
  • 2篇蒋晓娜
  • 2篇郭荣迪
  • 1篇彭科
  • 1篇刘培元
  • 1篇陈世钗
  • 1篇罗俊
  • 1篇唐英明
  • 1篇曾玉琴
  • 1篇杨艳

传媒

  • 3篇磁性材料及器...
  • 3篇压电与声光
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇微波学报
  • 1篇第五届全国高...

年份

  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Bi2O3对LiZnMn铁氧体铁磁共振线宽和微波介电性能影响
郭荣迪余忠蒋晓娜孙科邬传健许志勇兰中文
M型钡铁氧体薄膜的研究现状及发展趋势
介绍了M型钡铁氧体薄膜的主要制备方法,综述了近年来M型钡铁氧体薄膜的研究现状,并结合其应用讨论了钡铁氧体薄膜目前存在的问题及发展趋势。
许志勇兰中文
La-Co取代对M型钡铁氧体微观结构和磁性能的影响
邬传健余忠孙科蒋晓娜郭荣迪许志勇兰中文
ZnO对锰锌铁氧体磁性能温度特性的影响被引量:5
2009年
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值。同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μi-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低。在100kHz、200mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μi-T曲线的Ⅱ峰位置。
李乐中兰中文余忠孙科许志勇姬海宁
溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响被引量:1
2013年
采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。
朱光伟余忠孙科许志勇张霞兰中文
关键词:射频磁控溅射溅射功率C轴取向磁性能
铁氧体薄膜的研究现状及发展动态
铁氧体材料是从20世纪40年代迅速发展起来的一类非金属磁性材料。与金属磁性材料相比,铁氧体材料具有电阻率大、介电性能高、在高频时具有较高的磁导率等优点。本文综述了近十年来国内外铁氧体薄膜的研究现状及发展动态,重点阐述了尖...
兰中文许志勇
关键词:铁氧体薄膜微观结构磁性能
基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性能的影响
2013年
采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(ΔH)则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值ΔH=7.44kA/m(9GHz)。
张霞兰中文孙科余忠许志勇朱光伟
关键词:电子束蒸发基片温度磁性能铁磁共振线宽
氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响被引量:2
2014年
利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。
曾玉琴杨艳余忠孙科朱光伟许志勇兰中文
关键词:氧含量溅射气压微观结构形貌
二磨时间对MnZn铁氧体结构和磁性能的影响被引量:4
2010年
采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,研究二次球磨时间对MnZn功率铁氧体微观结构和磁性能的影响。通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,结果表明,随着二次球磨时间的延长,MnZn功率铁氧体的密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均先增大后减小,损耗则先减小后增大。当二次球磨时间为2h时,密度、起始磁导率、饱和磁感应强度及电阻率均达到最大值,总损耗最小且在25~120℃宽温范围内均低于350kw/m3。
许志勇余忠李乐中孙科姬海宁兰中文
关键词:MNZN铁氧体微观结构磁性能
基于Co_2-Z铁氧体材料的DVB-H折叠手机天线
2011年
采用传统的固相反应法制得了一种低损耗的Z型铁氧体材料(Sr1Ba2-xBixCo2+xFe24O41,其中x=0,0.15),基于此材料设计得到一近似全方向辐射模式,在470~702MHz频段平均增益大于-3dB,且在此频段的辐射效率为33.5%~67.3%的小型化天线,该天线完全满足DVB-H(数字视频广播手持终端传输技术)的应用。
罗俊彭科陈世钗唐英明许志勇
关键词:固相反应折叠手机
共2页<12>
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