黄文娟
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信哲学宗教更多>>
- (Al,Co)共掺杂ZnO薄膜制备与性能研究
- ZnO是一种宽禁带半导体，在光电子、自旋电子和透明电子薄膜等诸多领域具有潜在的应用前景。最近研究发现，在ZnO中掺杂Co等3d过渡族金属元素，可以制备出居里温度高于室温的稀磁半导体。这类材料结合了光效应和磁效应，可以用来...
- 黄文娟
- 关键词：ZNO薄膜材料性能发光特性磁性测量
- 马克思幸福观及其当代观照
- “幸福是什么”这个问题一直是古今中外学者探求和思考的问题，同时也是现实生活中每一个人对生活的无限向往与追求。正是因为对幸福的向往和追求致使人们不断的探索实现幸福的途径和方法。回顾以往的哲学家对幸福的研究并没有形成完整的幸...
- 黄文娟
- 关键词：幸福观价值体系中国特色社会主义
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜中缺陷诱导的室温铁磁性
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO(x=0.075,0.15,0.35,0.65)薄膜,研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影响。分析表明,Mg掺杂量会影响薄膜中的缺陷浓度,进而影响缺陷周围离子中的自旋极化效应,对薄膜磁性产生影响。氧压的增大会使Zn0.925Mg0.075O薄膜中锌位氧(OZn)缺陷浓度增大,但是,缺陷浓度过大又会使薄膜中出现缺陷对,这些影响使薄膜磁性随氧压的增大先增大后减小。而后续退火会影响薄膜结晶质量和缺陷浓度,也会对薄膜磁性产生影响。上述三个因素对Mg掺杂ZnO薄膜磁性的影响都与薄膜中的缺陷浓度变化有关。
- 黄文娟方庆清王伟娜吴克跃张瀚铭张启平
- 关键词：ZNO薄膜室温铁磁性
- Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响被引量：4
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响。结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强。随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(MS)呈先增大后减小的趋势。分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关。
- 黄文娟方庆清王伟娜吴克跃张瀚铭张启平
- 关键词：室温铁磁性
