李烨操
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响
- 本文使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石(α-A1_2O_3)衬底上的未掺杂六方In_xGa_(1-x)N/GaN双层薄膜,其生长温度在780℃至830℃之间递变。In_xGa_(1-x)N外延层生长在...
- 滕龙郑有蚪张荣谢自力刘斌陶涛张曌李烨操陈鹏韩平
- 富In组分的InGaN合金组分及温度对声子模特性的影响
- 2013年
- 采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜。X射线衍射(XRD)谱仅观察到In-GaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表明InGaN与GaN均具有单晶C向的六方纤锌矿结构,利用衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜的合金In组分x范围为0.34≤x≤1。室温下拉曼散射光谱测量发现,该系列InxGa1-xN合金的A1(LO)与E2(high)声子模峰位随着In组分x的增加均向低波速移动,并且峰位随组分的关系满足单模模式的变化规律。变温(93～673K)测量的拉曼散射光谱显示,InGaN的A1(LO)模峰位随着测量温度的升高向低波速非线性地偏移,该现象是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应共同作用引起的。
- 李烨操胡海楠刘斌张荣滕龙庄喆谢自力陈敦军郑有炓陈强俞慧强
- 关键词：INGAN拉曼散射声子模温度
- 纳米压印技术在LED器件制备中的应用被引量：1
- 2013年
- 纳米压印技术(NIL)是一种机械制备纳米图形的微加工技术,它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时,它可以大面积制备高分辨率的纳米图形,使得大批量低成本地生产微纳器件成为可能。而固态照明工程目前是被全世界所关注的重要领域,制备出高效III-V化合物半导体发光二极管(LED)来代替现有的传统照明工具已经掀起了照明技术的革命,以实现高质量、绿色的照明。重点介绍了纳米压印技术的发展和工艺过程,并详细论述纳米压印技术在无机和有机LED制备中的应用,实现纳米结构LED以及表面光子晶体结构,从而提高LED的发光效率。
- 庄喆刘斌张荣李烨操谢自力陈鹏赵红修向前郑有炓
- 关键词：光学制造纳米压印技术发光二极管外量子效率光子晶体
- 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
- 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN<Sub>x</Sub>介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚...
- 刘斌张荣李烨操谢自力方贺男庄喆陈鹏修向前赵红陈敦军顾书林韩平郑有炓托马斯·科奇
- 利用XRD研究Mg掺杂的InN的快速退火特性
- 研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg 掺杂的Inn 材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X 射线衍射技术(XRD)，对样品的对称面和非对称面作ω扫描，并且通过倒异空间图(RSM)扫描，拟合得到了刃位错与螺位错密度，并...
- 王健陈鹏韩平施毅张荣郑有炓谢自力张韵滕龙李烨操曹先雷丁煜刘斌修向前
- 关键词：THINRTAXRDINNDOPING
- In组分及温度对InGaN合金拉曼声子模影响及基于嵌段共聚物模板的GaN量子点生长
- Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化，覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围，同时基于其优良的光电及化学性质，在制作光电子器件以及高温、高频、大功率电子器件方面具有很大的优势和应用前景。对于Ⅲ族氮化...
- 李烨操
- 关键词：温度效应
- 利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性被引量：2
- 2013年
- 研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
- 王健谢自力张韵滕龙李烨操曹先雷丁煜刘斌修向前陈鹏韩平施毅张荣郑有炓
- 关键词：快速退火X射线衍射氮化铟
- 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
- 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN<Sub>x</Sub>介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚...
- 刘斌张荣李烨操谢自力方贺男庄喆陈鹏修向前赵红陈敦军顾书林韩平郑有炓托马斯·科奇
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