夏士兴
- 作品数：26 被引量：25H指数：4
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省科技攻关计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程金属学及工艺更多>>
- 磷化锗锌单晶生长的方法
- 磷化锗锌单晶生长的方法，它涉及磷化锗锌晶体生长的方法。本发明解决了目前磷化锗锌单晶的生长方法存在不易排出杂质的问题。本发明磷化锗锌单晶原核生长按如下步骤进行：一、定量；二、升温；三、坩埚下降、降温；即得磷化锗锌单晶。本发...
- 杨春晖沃里佐布娃·噶琳娜夏士兴王猛
- 文献传递
- ZnGeP_2晶体点缺陷的研究进展被引量：2
- 2008年
- ZnGeP_2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP_2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP_2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V_(Zn)^-及施主缺陷V_P^0和Ge_(Zn)^+,其相应的缺陷能级分别为E(V_(Zn)^-)=Ec-(1.02±0.03)eV,E(V_P^0)=Ev+(1.61±0.06)eV和E(Ge_(Zn)^+)=Ev+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V_(Ge)^(3-)和V_P^0其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP_2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
- 朱崇强杨春晖王猛夏士兴马天慧吕维强
- 关键词：电子顺磁共振密度泛函理论
- 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法
- 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm<Sup>-1</Sup>以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题...
- 杨春晖雷作涛夏士兴孙亮徐超朱崇强
- 文献传递
- 红外非线性光学晶体磷化硅镉研究进展
- 2015年
- 介绍了红外非线性光学材料磷化硅镉晶体的性能特点,以及其多晶合成、晶体生长和光学参量振荡的研究进展情况。最后,指出了制约着大尺寸、高光学质量CSP单晶体生长的主要原因以及研制CSP单晶体的必要性。
- 夏士兴范叶霞张月娟苑利钢韩隆
- 关键词：非线性光学多晶合成晶体生长
- Zn:Ce:Fe:LiNbO_3晶体的光折变异常温度特性
- 2010年
- 在LiNbO3(LN)中掺入摩尔分数为2%的Zn,质量分数(下同)为0.1%的Ce和0.03%的Fe,采用提拉法生长具有不同摩尔比n(Li)/n(Nb)=0.94、1.10、1.25、1.40的Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数,利用四波混频光路测试晶体的位相共轭性能。随着n(Li)/n(Nb)增加,Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体指数增益系数和响应速率增加,位相共轭反射率增加。研究Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体光折变温度效应时发现:在55、70℃和110℃,在指数增益系数(Γ)–温度(T)曲线和位相共轭反射率(R)–T曲线上出现峰值,即晶体的指数增益系数和位相共轭反射率增加。采用结构相变解释了Zn:Ce:Fe:LiNbO3晶体的异常温度特性。
- 范叶霞刘成龙夏士兴徐超徐玉恒关承祥金国藩
- 关键词：光折变效应
- Fe^(2+):ZnSe晶体制备及光学吸收被引量：1
- 2013年
- 本文采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,获得尺寸达20 mm×2.0 mm的晶体样品。光谱测试分析结果显示,晶体样品在3.0μm附近具有显著的Fe2+∶ZnSe晶体的特征吸收,相对吸收强度达85%;通过ICP-AES测试该晶体样品中铁离子为4.5×1017cm-3;分析了影响掺杂铁离子浓度的主要因素。
- 夏士兴莫小刚李兴旺王永国张月娟徐学珍
- 关键词：光学吸收
- Fe2+:ZnSe激光晶体制备及中红外激光输出
- 本文以硒化锌晶体为基质材料,以硒化亚铁粉末为掺杂物,采用热扩散掺杂技术制备了G:ZnSe晶体。采用SIMS测试该晶体样品中铁离子掺杂浓度达3.43×1018cm,并通过XPS分析了晶体样品中铁元素的离子价态分布。采用UV...
- 夏士兴
- 关键词：离子浓度激光输出
- 文献传递
- CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析(英文)被引量：2
- 2011年
- 利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分。计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合。CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性。此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,Cd–As键的共价性要强于Ge–As键的。
- 朱崇强杨春晖马天慧夏士兴雷作涛
- 关键词：密度泛函理论弹性性能电子性能
- 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法
- 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm<Sup>-1</Sup>以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题...
- 杨春晖雷作涛夏士兴孙亮徐超朱崇强
- 多温区防爆式多晶体合成装置及其方法
- 多温区防爆式多晶体合成装置及其方法。它涉及多晶体合成装置及其方法。它解决了温场精细调节，蒸气压过大，造成炉体受损的问题。外壁内有保温层，耐高温不锈钢管贯穿炉体，其两端固定保护帽，监测热电偶插固于保护帽上，监测热电偶参比端...
- 王猛杨春晖朱崇强孙彧马天慧夏士兴吕维强
- 文献传递
