刘秉策
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
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- ZnO/P-Si接触及其温度特性被引量：4
- 2006年
- 用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高。异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释。样品经Air^800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响。
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- 关键词：氧化锌异质结势垒温度特性
- ZnO∶Al/p-Si的接触特性被引量：1
- 2005年
- 利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析.结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别.解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同.对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO:Al/p-Si异质结的C-V曲线发生畸变.经800℃热退火,ZnO:Al/p-Si异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态.研究表明ZnO:Al/p-Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利.
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- 关键词：界面态
- ZnO/n-Si同型异质结的输运特性研究
- 使用激光脉冲沉积技术(Pulse Laser Deposition technique,PLD)制备了ZnO/n—Si同型异质结。部分样品在O2-800℃的条件下进行了1个小时的退火处理.对未退火样品(S1)和O2—80...
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- 关键词：界面态密度本征缺陷
- 文献传递
- ZnO//Si异质结构晶界行为及其载流子输运机制研究
- 对Ⅱ-Ⅵ化合物半导体氧化锌/(ZnO/)材料的认识和研究已有几十年时间,并已将其应用在许多方面,但是直到1996年ZnO微晶结构薄膜在室温下的光泵紫外受激发射现象的发现,才重新燃起ZnO作为半导体发光材料使用的希望。由于...
- 刘秉策
- 关键词：晶界
- 文献传递
- ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响被引量：7
- 2010年
- 使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜,在O2气氛下对样品进行了500℃(Sample1,S1),600℃(Sample2,S2),700℃(Sample3,S3)和800℃(Sample4,S4)退火,随后进行了X射线衍射(XRD)谱,椭偏光折射率,热激电流(TSC)和电容-电压(C-V)的测量。研究发现:S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zni)提供的电子填充,该能级位于ET=EC-0.24±0.08eV。S3中出现与中性施主(D0)有关的深能级中心,其ET=EC-0.13±0.03eV,推测D0的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关。XRD和椭偏光折射率测量结果表明:氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素。
- 刘秉策刘磁辉孙利杰易波
- 关键词：深能级缺陷光电特性
