王超杰
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N2/(N2+Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ.cm到412μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃。当氮气流量较高(5%～6%)时,薄膜中Ta2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta3N5相,薄膜的电阻率在940μΩ.cm到1030μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃。
- 王超杰蒋洪川张万里向阳司旭
- 关键词：TCR磁控溅射
- DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作被引量：5
- 2011年
- 设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。
- 司旭张万里蒋洪川彭斌王超杰李言荣
- 关键词：薄膜电阻器驻波比
- 氮分压对磁控溅射制备TaN薄膜性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜,研究了φ(N2)对薄膜的结构和性能影响。研究发现,在N2分压(体积分数)为9%时,多相共存的TaN薄膜表现出TaN(200)面择优取向,方阻和αt达到最佳,其值为52Ω/□和–306×10–6/℃。薄膜的方阻、电阻温度系数αt和晶粒尺寸都随着N2分压的增大而增大:当N2分压高于11%时,薄膜的方阻和αt增长较快。
- 康杰张万里吴传贵向阳王超杰
- 关键词：磁控溅射方阻电阻温度系数
- 热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响被引量：2
- 2008年
- 采用直流磁控溅射制备TaN薄膜,研究了热处理对TaN薄膜微结构及电性能的影响。结果表明,退火温度及退火时间都将影响薄膜的微结构及方阻。随退火温度的升高和时间的延长,TaN薄膜的方阻逐渐增大,但当退火温度高于800℃时,由于氧化严重导致薄膜的方阻异常增大。退火可显著改善薄膜的TCR,制备态TaN薄膜的TCR值为-1.2×10^(-3),薄膜经800℃退火30min后,其TCR可降低到-7.0×10^(-4)。
- 蒋洪川向阳王超杰莫绍毅雷云张万里
- 关键词：退火微结构方阻
- 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响被引量：6
- 2010年
- 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ·cm和270 ppm/℃。
- 蒋洪川王超杰张万里向阳司旭彭斌李言荣
- 关键词：AL掺杂磁控溅射TCR
