龙腾江
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种检测太阳电池扩散均匀性的方法
- 本发明属于太阳电池产品技术领域，具体公开太阳电池硅片扩散均匀性的检测方法。其包括以下步骤：(1)去除磷/硼硅玻璃步骤；(2)测量硅片的多点处的方块电阻；(3)湿法返刻：采用HNO<Sub>3</Sub>和HF混合溶液组成...
- 沈辉龙腾江周吉祥徐冠群
- 文献传递
- 湿法去除N型CZ硅硼扩散过程形成的富硼层
- 硼扩散被应用于N型硅基的PN结制结工艺,然而硼扩散过程中会在硅片表面形成难以避免的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本文采用HF-HNO3体系化学腐蚀的方法来除去富硼层,去除富硼层后的硅片少子寿命从14...
- 龙腾江沈辉沈磊
- 关键词：晶体硅产品质量
- 文献传递
- 湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层被引量：6
- 2015年
- 硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。
- 龙腾江徐冠群杨晓生沈辉
- 关键词：N型硅湿法化学腐蚀
- 高效n型晶体硅双面太阳电池研究
- 本文从制备出来的n型双面电池的I-V曲线以及电学性能数据看出，电池正反面的效率并不高，还有很大的提升距离。分析认为发射极钝化，应采用A12O3或者SiO2以及他们的叠层薄膜对p+发射极进行钝化，减少表面复合;选用体少子寿...
- 白路梁宗存龙腾江沈辉
- 关键词：硅太阳能电池少子寿命电学性能
- 一种检测太阳电池扩散均匀性的方法
- 本发明属于太阳电池产品技术领域，具体公开太阳电池硅片扩散均匀性的检测方法。其包括以下步骤：(1)去除磷/硼硅玻璃步骤；(2)测量硅片的多点处的方块电阻；(3)湿法返刻：采用HNO<Sub>3</Sub>和HF混合溶液组成...
- 沈辉龙腾江周吉祥徐冠群
