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郭维

作品数：9 被引量：48H指数：4
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金：浙江省教育厅科研计划浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇恒流
  • 3篇恒流驱动
  • 3篇白光
  • 2篇电路
  • 2篇驱动电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率
  • 2篇白光LED
  • 2篇CMOS工艺
  • 2篇传感
  • 2篇大功率
  • 2篇大功率LED
  • 1篇电传感器
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电源
  • 1篇电源效率
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇有源像素
  • 1篇有源像素传感...

机构

  • 9篇浙江大学

作者

  • 9篇郭维
  • 6篇朱大中
  • 2篇韩雁
  • 1篇郭清
  • 1篇周鑫
  • 1篇董树荣
  • 1篇丁扣宝
  • 1篇宋波
  • 1篇杜晓阳
  • 1篇浦志卫
  • 1篇韩成功
  • 1篇王廷宇
  • 1篇李明亮
  • 1篇霍明旭
  • 1篇黄大海
  • 1篇沈慧
  • 1篇杨幸
  • 1篇郑晓东

传媒

  • 2篇传感技术学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇压电与声光
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇工业和信息化...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
大功率照明白光LED恒流驱动芯片设计被引量：9
2009年
基于0.6μm标准CMOS工艺,研究设计了一款大功率照明白光LED恒流驱动芯片,可为两路功率型LED分别提供恒定的350mA驱动电流。驱动电路的输出级大功率管采用蛇形栅结构的设计,在标准CMOS工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。采用单电源供电,最高输出功率可达3W以上;单电源电压在4～7V范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能,驱动电流恒流失配度保持在3.09%以内;当标准5V电源有10%的变化时,驱动电流的变化可控制在1.42%之内,恒流失配度保持在2.84%以内;而当环境温度在10～90℃范围内变化,驱动电流最多增大1.75%,恒流失配度保持在3.15%以内。采用双电源供电时,芯片电源转换效率可达83%。
郑晓东郭维朱大中
关键词：恒流驱动
脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究被引量：12
2006年
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密度的版图结构使单位面积的有效宽长比与普通结构的MOS管相比提高了一倍。芯片的电源效率可达87%,与以前设计的串联饱和型半导体照明LED恒流驱动芯片[1]相比提高近25%。
沈慧郭维朱大中
关键词：恒流驱动电源效率
带有过温保护功能的1W白光LED驱动电路设计被引量：6
2009年
基于CSMC5V0.6μm标准CMOS工艺设计研制了一种具有过温保护功能的1 W温度传感LED恒流驱动电路。该电路由恒流驱动模块和温度传感模块组成,在电源电压为5V时能提供350 mA恒定驱动电流,并能在设定温度下关断功率MOS管,实现过温保护功能。恒流驱动模块采用比例电流采样方式,在电源电压正负变化10%范围内,驱动电流变化小于4.3%,温度传感模块利用PTAT(与绝对温度成正比)电压与基准电压比较,产生关断信号,关断温度在50℃—125℃范围内可由外接电阻设定。该芯片实现了温度传感模块和白光LED恒流驱动模块的单片集成,在LED照明技术中有一定的应用价值。
杨幸郭维朱大中
关键词：过温保护
基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究被引量：2
2005年
基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CM O S工艺研制。测试分析结果表明P+/N-w e ll/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N+/P-sub结构。通过改变复位信号频率,将P+/N-w e ll/P-sub结构像素的感光动态范围提高到139.8 dB,改善了有源像素的感光性能。
周鑫朱大中郭维
关键词：有源像素传感器光电传感器
“模拟集成电路设计”课程内涵优化初探被引量：1
2023年
我国集成电路产业飞速发展,国家对集成电路发展高度重视,培养高素质工程实践型的集成电路人才(包括模拟集成电路设计人才),成为当代我国高校的重要历史使命。通过对国内外高校模拟集成电路设计相关课程的调研,对教材、课程内容、考核方式等进行比较,优化课程知识点,强化课程设计和实践,着力培养懂理论、重实践、勤思考的优秀模拟集成电路设计人才。
赵梦恋谭志超宋爽郭维
关键词：模拟集成电路高等教育
N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化
2011年
针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.
郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁
关键词：雪崩击穿电荷泵
纳米集成电路的静电放电防护被引量：4
2010年
综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。
李明亮董树荣韩雁杜晓阳霍明旭郭维郭清黄大海宋波
关键词：集成电路静电防护
基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究被引量：4
2006年
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA。作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz。
浦志卫郭维
关键词：击穿电压
大功率白光LED驱动电路的双环检测方法被引量：11
2010年
基于CSMC0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有双环检测的大功率LED恒流驱动芯片。仿真结果表明,芯片可在2MHz频率下工作,驱动电流最高可达1.5A,在24V电源电压时,电源效率可达95%。当电源电压在6V跳变±10%,驱动1W350mA的LED时,LED电流精度达0.02%。对比单环检测模式,该电路的LED驱动电流响应时间缩短了近2/3。此模式在保持高精度恒流和高效率的同时,有效地缩短了LED驱动电流的响应时间。
王廷宇郭维朱大中
关键词：大功率LED恒流驱动PWM
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