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胥超

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省高等学校研究生导师科研项目计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇PTCDA
  • 2篇溅射
  • 2篇AFM
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇低阻
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机半导体材...
  • 1篇生长温度
  • 1篇探测器
  • 1篇透光率
  • 1篇温度变化
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇光谱

机构

  • 6篇兰州大学
  • 1篇甘肃联合大学
  • 1篇兰州交通大学
  • 1篇湖南科技大学

作者

  • 6篇胥超
  • 4篇张福甲
  • 3篇孙硕
  • 2篇肖剑
  • 2篇冯煜东
  • 2篇李建丰
  • 1篇董茂军
  • 1篇苏庆
  • 1篇李东仓
  • 1篇欧谷平
  • 1篇张旭
  • 1篇张桂铃
  • 1篇张桂玲

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2007
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
温度对PTCDA结构形貌影响的Raman和AFM分析
2007年
通过真空蒸发将PTCDA淀积在p-Si(100)面。采用Raman光谱,AFM分别研究了衬底温度对于PTCDA分子结构和表面形貌的影响,进而完善了p-Si基PTCDA薄膜的生长机制。
孙硕胥超张桂铃苏庆李建丰欧谷平张福甲
关键词:RAMAN光谱AFM衬底温度
PTCDA表面射频磁控溅射ITO薄膜的特性研究被引量:1
2007年
将氧化铟锡(ITO)溅射淀积在PTCDA/玻璃衬底表面,利用原子力显微镜(AFM)、四探针和紫外可见分光光度计分别测量薄膜的表面形貌、电阻率和透光率。结果表明衬底温度对ITO在PTCDA上的淀积有着与在其他衬底上淀积所不同的影响,提高衬底温度淀积ITO并没有提高薄膜的结晶度;溅射功率的提高有利于ITO电阻率的下降,但是功率过高会破坏ITO薄膜的特性ITO膜厚度的增加导致其电阻率减小。
孙硕胥超冯煜东肖剑张福甲
关键词:PTCDA透光率
PTCDA//p-Si光电探测器的研制及参数优化
苝四甲酸二酐/(3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride-PTCDA/)是一种红色粉末状的单斜晶系宽带隙有机半导体材料。它是多相芳香族分子复合形成的非聚合物,它的价带和第一紧束...
胥超
关键词:光电探测器PTCDA生长温度
文献传递
有机半导体NTCDA的合成及结构表征
2007年
叙述了利用1,8萘二甲酸二钠为原料制备高纯1,4,5,8-萘四甲酸二酐的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、X-射线衍射谱对其结构进行了表征,并通过紫外-可见光光谱分析了其光吸收特性.
李建丰孙硕董茂军胥超肖剑张福甲
关键词:有机半导体材料
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
2006年
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
张福甲冯煜东李东仓胥超
关键词:AFM表面形貌衬底温度
Si基有机光电探测器低阻欧姆电极制作被引量:2
2010年
在Si单晶表面真空沉积有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)可形成有机/无机异质结。利用铟锡氧化物(ITO)沉积在PTCD表面作为光的入射窗口,在其表面溅射Al/Ni接触电极,在氢气保护气氛中经350℃,3分钟合金化,其比接触电阻ρs达5.2×10-5.cm2。利用α台阶仪,原子力显微镜,紫外可见分光光度计及x射线衍射仪,对其形成良好低阻欧姆电极的工艺条件及表面和界面进行了分析讨论。
张旭张桂玲胥超
关键词:磁控溅射
共1页<1>
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