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Al//Cu键合垫片的制备与性能研究: 引线键合作为电子封装最传统和应用最广的封装工艺，占据了IC芯片封装总产量3//4以上的市场份额，常用Au-Al键合系统因脆性金属间化合物大量生长，易导致器件电性能退化键合点强度降低甚至焊点脱焊为了解决该问题，在键合系统中...; 岳安娜; 关键词：电阻率金属间化合物 TI 扩散阻挡层; 文献传递

Al/Cu键合系统中金属间化合物的形成规律及防止方法被引量：5: 2013年; Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制。热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效。采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性。; 岳安娜彭坤周灵平朱家俊李德意; 关键词：AL 金属间化合物扩散

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岳安娜