周雨薇
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金南通市应用研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种太阳能电池制造方法
- 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻...
- 花国然王强张竹青曹海平周雨薇朱海峰居志兰
- 文献传递
- YAG激光频率对a:H-Si薄膜微晶化的影响被引量：2
- 2013年
- 研究了一种氢化非晶硅(a:H-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下,分别应用4、8、10、12、15Hz频率YAG激光对a:H-Si/晶体硅(c-Si)结构中的a:H-Si薄膜进行退火处理,探索了YAG激光脉冲频率对a:H-Si薄膜微晶化的影响。用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对a:H-Si薄膜晶化后的物相结构和表面形貌进行了分析。实验结果表明,随着激光频率从4Hz增加到10Hz,a:H-Si薄膜晶化后的晶粒尺寸变大;随着激光频率从10Hz增加到15Hz,a:H-Si薄膜晶化后的晶粒尺寸逐步变小。脉冲频率为10Hz激光退火后的a:H-Si薄膜的晶化晶粒平均尺寸最大,约45nm。a:H-Si薄膜的表面电阻率随激光频率的增加总体呈下降趋势,晶化后晶粒尺寸最大的a:H-Si薄膜的表面电阻率最低。
- 张竹青王强花国然周雨薇
- 关键词：YAG激光器氢化非晶硅薄膜
- 高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能.
- 李志锋郭宏亮周雨薇王强章国安张竹青
- 关键词：非晶硅薄膜太阳能电池光电性能光谱响应
- 一种太阳能电池制造方法
- 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻...
- 邓洁花国然王强张竹青曹海平周雨薇朱海峰居志兰
- 文献传递
