司红
- 作品数：69 被引量：115H指数：7
- 供职机构：国家钢铁材料测试中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技基础性工作专项北京市教育委员会共建项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术机械工程电气工程更多>>
- 304不锈钢管穿孔原因分析
- 某大厦中央空调的304不锈钢管网在安装后第二次试压时出现大量漏点,本文对漏点进行了宏观形貌、微观形貌、金相组织以及能谱分析。结果表明漏点为严重点腐蚀所致,腐蚀产物中检测到了C1和S等腐蚀性元素成分,是材料发生点蚀的原因。
- 杨春司红钟振前董毅杨波朱衍勇
- 关键词：点蚀中央空调微观形貌金相组织能谱分析
- 文献传递
- 40钢球头挂环的断裂失效分析被引量：6
- 2018年
- 输电线路球头挂环在使用过程中发生断裂。通过宏观断口特征、微观断口、化学成分、力学性能和显微组织等对球头挂环进行了断裂原因分析。结果表明,球头挂环在双向循环弯曲载荷作用下发生多源疲劳断裂,疲劳源位于球头挂环两侧次表层,裂纹沿径向由次表层向心部扩展,最后瞬断区位于心部;球头挂环次表层的基材表面尺寸不等的显微凹坑(10~30μm)和硬度较低(184HV0.05)的脱碳层的存在,使得球头挂环在根部的显微凹坑底部的最大应力集中处萌生裂纹,这是造成球头挂环断裂失效的重要原因。在球头挂环加工以及后续热处理过程中,避免基材表面产生显微凹坑缺陷和防止表面发生脱碳,是减少球头挂环发生疲劳断裂失效的有效措施。
- 林双平钟振前司红李云玲高群郑凯
- 关键词：断口形貌
- EH油管的裂纹成因分析被引量：2
- 2004年
- 钟振前朱衍勇董毅司红
- 关键词：金相组织电子显微镜
- 不锈钢堵头裂纹失效分析被引量：1
- 2016年
- 不锈钢堵头经使用5年后出现严重的穿透性裂纹,通过裂纹面断口分析、裂纹剖面金相检验、显微组织观察、显微硬度测试等方法对堵头裂纹形成原因进行了分析。结果表明,堵头裂纹属于应力腐蚀裂纹,堵头外表面介质环境存在较多含硫酸根等应力腐蚀敏感的离子是导致不锈钢堵头发生应力腐蚀开裂的主要原因。
- 朱姣钟振前杨春司红王冬梅
- 关键词：应力腐蚀
- 用SEM分析中厚钢板表面裂纹的成因
- 朱衍勇董毅司红徐荣军
- 文献传递
- 钢中硅系夹杂物粒度的原位统计分布分析被引量：14
- 2009年
- 研究了钢中硅系夹杂物的颗粒尺寸测定的原位统计分布新方法。结合定量金相和扫描电镜多种物理分析手段,探讨了原位火花光谱中元素硅的异常光谱信号与硅夹杂物的颗粒数量、尺寸之间的相关性,发现钢中单位面积内尺寸大于3μm的夹杂物颗粒个数对异常火花相对频数影响较大,异常平均强度占总体平均强度的比例也与大于3μm的硅系夹杂物的平均粒径密切相关,由此建立了相应的数学模型来计算钢中较大颗粒硅系夹杂物的数量、平均粒径和最大平均粒径。将方法应用于多种钢样品中硅系夹杂物颗粒的状态分析,所得结果与定量金相分析结果具有良好的对应关系。
- 李冬玲司红李美玲贾云海王海舟
- 关键词：颗粒尺寸平均粒径原位统计分布分析
- 热得快通电干烧的金相鉴定方法被引量：3
- 2012年
- 热得快通电干烧时内有电热丝的部位套管温度很高,材料会发生二次再结晶、晶粒异常长大现象,而无电热丝的部位温度不太高,材料晶粒形态变化不明显。根据上述特征,提出了通过对比套管材料不同部位的晶粒尺寸和组织形态的变化来鉴定热得快是否存在通电干烧的方法。模拟试验和理论分析结果均表明:该方法可以分析热得快套管材料不同部位的受热状态,进而能够确定热得快是否存在通电干烧现象以及火灾是否由热得快通电干烧引起的。
- 杨春朱衍勇司红钟振前董毅杨波
- 关键词：热得快二次再结晶晶粒尺寸
- 金相显微镜数字化照相系统及图像分析仪软件的开发
- 吴伯群毕革平朱衍勇吴京利董毅张宗展杨吉吉司红杨柏华
- 自1997年我们就提出对金相照相系统改造思想，并付诸实施1998年11月我们成功地将数码照相技术应用于金相显微镜，使金相照相方便、快速、高质量，使金相照片易于编辑交流，实现了金相显微镜的照相系统的计算机化我们以，数码照相...
- 关键词：
- 关键词：显微镜数码相机图像分析软件
- 晶间脆性断裂的非平衡偏聚机理研究被引量：7
- 2009年
- 中温脆性、回火脆性是困扰材料学界百年的两大晶间脆性难题,其发生机理一直是材料科学与工程学界研究的热点。根据溶质非平衡偏聚恒温动力学特征,总结出了中温脆性的非平衡偏聚机理。另外,依据溶质非平衡偏聚的临界时间现象,综述了回火脆性的非平衡偏聚研究最新进展。通过对以上两种晶间脆性断裂发生机理的分析发现,它们都是由溶质的非平衡偏聚临界时间引起的。
- 王凯司红徐庭栋
- 关键词：晶界偏聚回火脆性
- 一种新型抗辐照SOI隔离结构(英文)
- 2005年
- 制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.
- 赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤司红
- 关键词：抗辐照SOI薄SIO2多晶硅
