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薛耀辉

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇电性能
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氮化硅
  • 1篇多孔氮化硅陶...
  • 1篇烧结助剂
  • 1篇陶瓷
  • 1篇力学性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇力学性

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇杨建锋
  • 1篇于方丽
  • 1篇金志浩
  • 1篇高积强
  • 1篇薛耀辉

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响(英文)被引量：5
2008年
通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%～54%)的氮化硅陶瓷。采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度。用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构。用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2GHz的介电特性。结果表明:材料具有优良的介电性能。随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低。添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷。当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗弯强度可达170MPa,介电常数为3.0～3.2,介电损耗为0.0006～0.002。
于方丽杨建锋薛耀辉高积强金志浩
关键词：烧结助剂氮化硅陶瓷力学性能介电性能
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