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卢海峰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇阳极氧化铝
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化镓
  • 2篇钝化层
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇厚膜
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔材料
  • 1篇湿法化学腐蚀
  • 1篇气相外延
  • 1篇氢化物气相外...
  • 1篇中位
  • 1篇外延层
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米多孔
  • 1篇纳米多孔材料
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇孔材料

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇于广辉
  • 4篇林朝通
  • 4篇王新中
  • 4篇曹明霞
  • 4篇卢海峰
  • 4篇巩航
  • 3篇李晓良
  • 3篇李爱珍
  • 3篇齐鸣

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
文献传递
湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
2009年
研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航
关键词：GAN湿法化学腐蚀
HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上...
于广辉王新中林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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