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洪超

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：内蒙古科技大学更多>>
发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇作用势
  • 1篇基底温度
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇仿真
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇M
  • 1篇TI-SI-...

机构

  • 2篇内蒙古科技大...
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 2篇洪超
  • 1篇刘学杰
  • 1篇姜永军
  • 1篇孙士阳

传媒

  • 1篇表面技术

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ti-Si-N薄膜表面生长过程的KMC仿真
Ti-Si-N薄膜具有高硬度、较好的抗氧化性即热稳定性等诸多优点，并渐渐成为超硬材料的研究热点。因此研究薄膜Ti-Si-N生长的基础理论对于发展新性能的功能材料以及优化传统薄膜材料的质量，都有着非常重要的指导意义。但在之...
洪超
关键词：TI-SI-N作用势基底温度
文献传递
Ti-Si-N薄膜生长过程的计算机模拟被引量：2
2013年
首次应用修正嵌入原子法(MEAM)以及动力学蒙特卡洛方法(KMC)对Ti-Si-N薄膜的生长过程进行了计算机仿真模拟。在合理选择势函数及MEAM各项参数的基础上,利用编程软件仿真在不同基底温度下的薄膜生长过程。与采用传统简单的Mouse势进行模拟的结果相比,这种新方法的模拟结果更加准确,与实验结果更加吻合。仿真结果表明:基底温度对Ti-Si-N薄膜的形成过程有着直接的影响,当基底温度为800 K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低。
刘学杰洪超姜永军孙士阳
关键词：薄膜生长计算机模拟
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共1页<1>
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