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基于游离磨粒的化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制(英文)被引量：4: 2012年; 本文主要研究硬脆晶体材料化学机械抛光中基片内材料去除非均匀性的形成机理.首先分析了化学机械抛光时抛光机的运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性的影响规律.然后通过基片内材料去除非均匀性实验,得出了抛光机运动参数对基片表面材料去除非均匀性的影响.通过比较理论分析与实验结果,基片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性及接触压力分布非均匀性随转速的变化趋势与基片表面材料去除非均匀性的实验结果相差较大,只有磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性与基片表面材料去除非均匀性的实验结果趋势相同.研究结果表明,基片表面材料去除非均匀性是由磨粒在基片表面上的运动轨迹分布非均匀性造成的,充分说明了基片表面材料去除的机械作用主要是磨粒的机械作用.; 苏建修张学铭刘幸龙刘志响张竹青; 关键词：化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒

一种4H-SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法: 一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法。本发明的技术方案要点是，先按比例称量选取磨料；分散剂；助研剂；润滑剂；增稠剂；辅助剂；先用助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；加入增稠剂，加热至9...; 苏建修洪源宁欣马利杰丛晓霞胡志刚姚建国刘幸龙

一种晶体基片超精密研抛实验用载物台: 本实用新型公开了一种晶体基片超精密研抛实验用载物台。本实用新型的技术方案要点是，一种晶体基片超精密研抛实验用载物台，它包括载物盘，压块，载物盘与压块之间通过定位联接结构固定。本实用新型结构合理，使用方便，便于使用，能够极...; 苏建修洪源刘幸龙丛晓霞王振宁王占合姚建国胡志刚; 文献传递

固结磨料研磨SiC晶体基片研究: 碳化硅晶体基片具有优良的电子和物理特性，如导电性能好、导热性能好、禁带宽度大、临界击穿场强高等，成为最具有发展前景的半导体材料，广泛应用于微电子、光电子、半导体照明、集成电路等领域。目前发光二极管的发展速度非常迅速，相应...; 刘幸龙; 关键词：材料去除率表面粗糙度平面度; 文献传递

一种4H-SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法: 一种4H－SiC单晶片研磨工序用研磨膏及其制备方法。本发明的技术方案要点是，先按比例称量选取磨料；分散剂；助研剂；润滑剂；增稠剂；辅助剂；先用助研剂，充分混合，如需加热，则加热至溶化，搅拌均匀，待用；加入增稠剂，加热至9...; 苏建修洪源宁欣马利杰丛晓霞胡志刚姚建国刘幸龙; 文献传递

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刘幸龙