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严慧

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇优化设计
  • 1篇栅结构
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇界面粗糙度
  • 1篇晶体管
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HEMT
  • 1篇INALN

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇于奇
  • 2篇杜江锋
  • 2篇严慧
  • 1篇尹成功

传媒

  • 1篇2013‘全...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
抑制短沟道效应的复合金属栅结构AlGaN/GaN HEMT优化设计
为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规的单栅结构(SMG-HEMT)对...
潘沛霖杜江锋严慧于奇
关键词：高电子迁移率晶体管优化设计短沟道效应
文献传递
毫米波InAlN/GaN HEMT电学特性退化机制分析
在SiC衬底上制作了栅长200hm的InAlN/GaN HEMT器件,其最大源漏输出电流为500mA/mm,电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax分别为66GHz和150GHz.并深入分析了欧姆接触和异质结界面粗...
严慧杜江锋尹成功黄思霓敦少博徐鹏冯志红于奇
关键词：HEMT电子迁移率
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共1页<1>
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