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杨怀伟
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李彬
中国科学院半导体研究所
韩勤
中国科学院半导体研究所
刘少卿
中国科学院半导体研究所
王杰
中国科学院半导体研究所
杨晓红
中国科学院半导体研究所
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王杰
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尹伟红
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聂诚磊
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半导体光电
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1篇
2013
3篇
2012
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可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法
一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法,包括:在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层;在InP帽层上生长SiO<Sub>2</Sub...
杨怀伟
李彬
韩勤
文献传递
一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法,包括:选择外延片,在外延片上涂光刻胶,对外延片腐蚀出台面,形成源漏沟道,其中同一行的源极在光刻时连在一起;在源极和漏极蒸镀电极,进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触;...
聂诚磊
杨晓红
王秀平
王杰
刘少卿
李彬
杨怀伟
尹伟红
韩勤
文献传递
可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法
一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法,包括:在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层;在InP帽层上生长SiO<Sub>2</Sub...
杨怀伟
李彬
韩勤
平面型APD抑制边缘击穿的方法研究
被引量:1
2012年
雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。
杨怀伟
韩勤
杨晓红
李彬
王秀平
王杰
刘少卿
关键词:
雪崩光电二极管
保护环
参数优化
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