刘晓燕
- 作品数：5 被引量：20H指数：3
- 供职机构：山东理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金山东省高等学校科技计划项目国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 高取向度石墨基复合材料力学性能及微观结构研究被引量：2
- 2015年
- 以Zr B2和Si C为烧结助剂,采用流延-叠层-热压工艺制备高取向石墨基复合材料,并对其抗弯强度、断裂韧性、断裂行为以及微观结构进行了研究。结果表明:该石墨基复合材料结构完整,其中片状石墨颗粒平行热压面高度定向排列。弯曲强度和断裂性能及致密度都得到大幅度提高,垂直片层和平行片层方向测试的抗弯强度和断裂韧性分别为104 MPa、2.07 MPa·m1/2和84 MPa、1.97 MPa·m1/2。高取向石墨基复合材料受到不同方向力冲击时的断裂行为显著不同,垂直层面加压时断裂由脆性破坏变为非脆性破坏行为,断裂功达到145 J/m2为平行层面测试的2倍。非脆性破坏行为主要归因于层界和高度定向的片状石墨颗粒诱导裂纹偏转分叉以及片状石墨颗粒桥联拔出。
- 魏春城叶长收刘晓燕
- 关键词：流延抗弯强度断裂韧性
- 复相导电陶瓷的导电机理分析被引量：5
- 2015年
- 讨论了复相导电陶瓷改性问题的研究,详细介绍了N型、P型、电子离子弥补型以及加入连通导电相型导电陶瓷各自典型的机理和电阻率的变化。分析表明:非半导体导电陶瓷是通过加入掺杂物引起基体晶格畸变或发生取代引起电子、离子的浓度变化来影响电阻率的变化;半导体导电陶瓷是通过掺杂第五主族元素或第三主族元素分别形成N型半导体或P型半导体,产生大量的多余电子或可移动空穴,明显降低了材料的电阻率;连通导电相型导电陶瓷是在基体中掺杂导电相形成网状的导电连通相,从而为电子的转移提供了导电通道;最后对ZrB_2改性SiC基导电陶瓷进行了展望。
- 吴炳辉周立娟刘晓燕张泳昌尹凯俐马在强张玉瑶
- 关键词：导电陶瓷电阻率导电机理
- Al_2O_3/Y_2O_3复合助剂对碳化硅蜂窝陶瓷烧结性能的影响研究被引量：8
- 2015年
- 以碳化硅为主要原料,以羟丙基甲基纤维素(HPMC)为粘结剂,以Al2O3和Y2O3作为复合烧结助剂,采用挤出成型工艺制备出碳化硅多孔蜂窝陶瓷。探究了复合助剂Al2O3/Y2O3的加入量对蜂窝陶瓷物相组成和微观形貌的影响;研究了烧结温度对碳化硅陶瓷物相、微观形貌以及孔隙率、线收缩率、体积密度、抗压强度的影响规律。结果表明:Al2O3/Y2O3复合助剂的加入量增大和烧结温度的提高,陶瓷液相量增多;在钇铝石榴石(YAG)的共晶点1760℃附近,更易于析出结晶形成YAG相。烧结温度升高,陶瓷收缩率增大;体积密度和抗压强随烧结温度变化规律接近;体积密度和抗压强度在1750℃达到最大值分别为1.8 g/cm3和14.09 MPa。
- 张泳昌周立娟吴炳辉刘晓燕
- 关键词：碳化硅烧结温度
- ZrB_2基超高温陶瓷抗氧化性研究进展被引量：3
- 2016年
- Zr B2基超高温陶瓷具有硬度高、熔点高、导热性能好以及良好的抗热震性能等优点而广泛应用于飞行器、高超声速导弹、火箭的热端结构部件。超高温陶瓷的服役环境对其抗氧化性有较高的要求。文章就Zr B2基超高温陶瓷的氧化机理、测试方法以及抗氧化性能的研究进展等方面进行了综述。
- 刘晓燕魏春城吴炳辉
- 关键词：抗氧化性韧性
- 层状ZrB_2-SiC-G陶瓷在1300℃下的抗氧化性及其残余强度的研究被引量：2
- 2017年
- 采用流延–层叠–热压的方法制备了不同石墨界面层的层状ZrB_2-SiC-G超高温陶瓷,研究其在1300℃下氧化0.5~10 h的氧化行为以及氧化时间对室温残余强度的影响,观察了增重量随氧化时间的变化,并对其物相和形貌进行了分析。结果表明,石墨界面层中添加40vol%ZrB_2和10vol%SiC制备的层状ZrB_2-SiC-G超高温陶瓷,室温弯曲强度为670 MPa,断裂韧性为13.7 MPa·m^(1/2),氧化10 h后弯曲强度仍达429MPa,断裂韧性仍达10.25 MPa·m^(1/2),优异的残余强度是由于表面形成了致密的SiO_2玻璃层而阻止了材料内部被氧化。
- 刘晓燕魏春城牛金叶杨赞中于长新
- 关键词：ZRB2层状陶瓷
