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冯仁华

作品数：3 被引量：9H指数：2
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系无机非金属材料研究所更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇硼掺杂
  • 3篇掺杂
  • 2篇带隙
  • 2篇光学
  • 2篇光学带隙
  • 2篇PECVD法
  • 2篇PECVD法...
  • 2篇RF-PEC...
  • 2篇掺硼
  • 2篇SI-H
  • 1篇激活能
  • 1篇NA
  • 1篇PECVD
  • 1篇SI
  • 1篇H

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇冯仁华
  • 1篇韩高荣
  • 1篇张溪文

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇1900
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响被引量：7
2008年
本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响。研究表明,与传统掺硼非晶硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si∶H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能Ea≈0.50eV、σph/σd>102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力。
冯仁华张溪文韩高荣
关键词：PECVD激活能
PECVD法制备本征/掺硼纳米非晶硅薄膜及其性能研究
纳米非晶硅（hydrogenated nano-amorphous silicon，na-Si：H）因具有类似非晶硅（a-Si：H）的高光吸收系数（达105数量级）和光敏性，同时又具有纳米晶硅（nano-crystall...
冯仁华
关键词：RF-PECVD硼掺杂光学带隙
文献传递
PECVD法制备本征/掺硼纳米非晶硅薄膜
冯仁华
关键词：RF-PECVD硼掺杂光学带隙
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