马骁
- 作品数:25 被引量:11H指数:2
- 供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金:国家科技重大专项国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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- 一种逐次逼近型ADC版图结构
- 本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器版图结构,包括第一电容阵列版图区、第二电容阵列版图区、第三电容阵列版图区、第四电容阵列版图区、控制逻辑电路版图区、基准与偏置电路版图区、比较器版图区及开关阵列版图区。控制逻辑电路版图区...
- 刘珂杜占坤马骁邵莉
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- 一种IPD超宽频带功分器
- 本发明公开一种IPD超宽频带功分器,在IPD超宽频带功分器的介质层上设置有输入端口、第一输出端口、第二输出端口;输入端口和第一输出端口之间设置有N节第一微带阻抗变换器,输入端口和第二输出端口之间设置有N节第二微带阻抗变换...
- 李瑞鹏马骁慕福奇邱昕
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- 一种跨多倍频程的数字延时线电路及其数字延时方法
- 本发明涉及一种跨多倍频程的数字延时线电路及其数字延时方法,属于信号处理技术领域,解决了现有多个ADPLL导致面积功耗浪费和DAC会增加设计复杂度的问题。该电路包括:控制电路,用于根据输入的待延时时钟信号的频率信息选择延时...
- 杨新豪马骁郭瑞李鹏浩陈思婷邱昕
- 逐次逼近型模数转换器
- 本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器,其中的电容阵列数模转换电路包含的电容阵列到比较器的输出端连接有辅助电容器,该辅助电容器的电容值选取为使得当输入电压的摆幅在零伏到电源电压之间时,电容阵列到比较器的输出端的摆幅在零伏到...
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- 一种逐次逼近型ADC版图结构
- 本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器版图结构,包括第一电容阵列版图区、第二电容阵列版图区、第三电容阵列版图区、第四电容阵列版图区、控制逻辑电路版图区、基准与偏置电路版图区、比较器版图区及开关阵列版图区。控制逻辑电路版图区...
- 刘珂杜占坤马骁邵莉
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- 面向WSN结点SoC的逐次逼近模数转换器被引量:1
- 2013年
- 设计了一种适合于无线传感网(WSN)结点SoC芯片传感器接口电路应用的12 bit精度逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)。为了实现高精度、低成本,并兼容射频CMOS工艺的要求,利用全差分结构和带有Auto-zero失调消除功能的比较器提高转换精度。采用分段式电容阵列DAC减小芯片占用面积,通过构造符合精度要求的MOM电容单元,使电容阵列符合射频CMOS的工艺特点,利于嵌入式应用。同时,采取增加辅助电容的办法扩大输入信号范围。该ADC在0.18μm 1P6M标准CMOS工艺下实现,版图面积为0.9 mm2,最高采样速率为1 MS/s,在1.8 V电源电压下,整体功耗仅为2 mW。
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- 关键词:逐次逼近型无线传感网片上系统
- 一种基于IPD工艺的超宽频带功率分配器设计被引量:3
- 2018年
- 针对目前通信设备及系统对低功耗、小型化的高性能器件的需求,提出采用IPD工艺并通过微带线形式的多节阻抗变换器代替传统威尔金森功分器中的四分之一波长传输线的方法,实现了工作频率范围为3~42.5GHz的超宽带功分器.仿真结果表明该宽带功分器在3~42.5GHz频带内输入输出回波损耗以及输出端口隔离度均小于-10dB,插入损耗在3~26.8GHz频段内小于1dB,在26.8~42.5GHz频率范围内小于2dB.芯片面积为3.1*1.1mm2,有效地缩减了宽带功分器尺寸,有助于实现系统的小型化.该功分器工作频率能够覆盖我国5G网络已规划频段,在未来的5G通信系统中有广泛的应用前景.
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- 关键词:功率分配器小型化
- 电容器结构
- 一种电容器结构,包括:位于第一金属层中的第一插指阵列和第二插指阵列,第一插指阵列中的插指和第二插指阵列中的插指交错排列,并且第一插指阵列中的插指电连接在一起,第二插指阵列中的插指电连接在一起;位于与第一金属层相邻的第二金...
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- 基于IPD工艺的滤波器设计
- 2022年
- 采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器。利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化。低通滤波器芯片尺寸为0.65 mm×1 mm×0.1 mm,高通滤波器芯片尺寸为0.7 mm×1.3 mm×0.1 mm。芯片测试结果显示,低通滤波器的-3 dB截止频率高于4.85 GHz,带外抑制在5.89~16.8 GHz内大于35 dB;高通滤波器的-3 dB截止频率低于6.35 GHz,带外抑制在5.17 GHz以下时大于35 dB。这两款滤波器在所需的工作频率范围内与设计指标吻合良好,达到了设计要求。
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- 关键词:高通滤波器低通滤波器电感谐振
- 一种带隙基准电路
- 本发明公开了一种带隙基准电路,包括:主体电路,运算放大器的反相输入端与第一晶体管的发射极耦合,运算放大器的同相输入端与第二晶体管的发射极通过第三电阻耦合,第一PMOS管、第二PMOS管的源极与电源端连接,栅极与运算放大器...
- 徐永志张立军马骁张小宾廖安谋郑占旗