公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

不同的衬底弯曲度(bow)值对GaN基LED芯片参数的影响: 利用LP-MOCVD在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长GaN基LED芯片全结构,测量了不同衬底bow值的全结构芯片的主要光学和电学参数,并分析了不同衬底bow值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式...; 杨德超梁红伟宋世巍

利用SiN_x插入层和新型图形化蓝宝石衬底提高GaN外延层质量的相关研究: 当今，虽然GaN基LED已经实现了广泛的商业化应用，但是其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果。主要原因之一在于缺少高质量的GaN外延层。高质量的外延层是制备高性能器件的基础，因此，如何提高外延层的整体质量一直是研究者...; 杨德超; 关键词：GAN 金属有机物化学气相淀积位错密度; 文献传递

衬底弯曲度(BOW)值对LED芯片性能的影响: 利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(BOW)值的蓝宝石衬底上生长了GAN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底BOW值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(BOW)值对LED芯片的各个光学和电学...; 杨德超梁红伟宋世巍; 关键词：GAN LED 残余应力; 文献传递网络资源链接

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 2013年; 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。; 王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同; 关键词：金属有机物化学气相沉积 GAN发光二极管电子阻挡层超晶格

衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响: 2013年; 利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片。测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响。分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能。随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移。; 杨德超梁红伟邱宇宋世巍申人升柳阳夏晓川俞振南杜国同; 关键词：GAN LED 残余应力

低温插入层对绿光LED的发光影响(英文): 2013年; 利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。; 宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同; 关键词：LED

衬底弯曲度(bow)值对LED芯片性能的影响: 利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学...; Dechao Yang杨德超Hongwei Liang梁红伟Shiwei Song宋世巍; 关键词：发光二极管残余应力芯片性能

全选清除导出

共1页<1>

杨德超