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张文亮

作品数：25 被引量：11H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇IGBT
  • 8篇集电极
  • 5篇集电区
  • 5篇掺杂
  • 4篇短路
  • 4篇缓冲层
  • 4篇发射极
  • 4篇半导体
  • 3篇电流
  • 3篇载流子
  • 3篇栅结构
  • 3篇损耗
  • 3篇芯片
  • 3篇击穿电压
  • 3篇寄生电容
  • 2篇导通
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷量
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇电流密度

机构

  • 25篇中国科学院微...
  • 17篇江苏中科君芯...
  • 12篇上海联星电子...
  • 6篇江苏物联网研...

作者

  • 25篇张文亮
  • 8篇朱阳军
  • 5篇褚为利
  • 5篇王波
  • 5篇谈景飞
  • 3篇田晓丽
  • 2篇卢烁今
  • 2篇赵佳
  • 2篇吴振兴
  • 2篇陈宏
  • 1篇陆江

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 11篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PIN超结结构
本发明公开了一种PIN超结结构，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与...
张文亮朱阳军卢烁今胡爱斌
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逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法
本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括：基区、N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层、P<Sup>+</Sup>锗集电极区、N<Sup>+</Sup>锗短路区及集电极金属层；所述N<Sup>‑</Sup>锗缺陷层设...
张文亮胡爱斌朱阳军陆江
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逆导型IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导型IGBT的制备方法，包括：在衬底上表面制备薄膜层；在制备薄膜层的衬底上表面外延第一导电类型的漂移区；在所述第一导电类型的漂移区上制备芯片的正面结构；将制备正面结构的芯片的背面减薄后金属化形成集电极金...
张文亮田晓丽朱阳军吴振兴
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PIN超结结构
本发明公开了一种PIN超结结构，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与...
张文亮朱阳军卢烁今胡爱斌
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整...
谈景飞朱阳军王波张文亮褚为利
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逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法
本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括：基区、N<Sup>-</Sup>锗缺陷层、P<Sup>+</Sup>锗集电极区、N<Sup>+</Sup>锗短路区及集电极金属层；所述N<Sup>-</Sup>锗缺陷层设...
张文亮胡爱斌朱阳军陆江
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一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔...
张文亮朱阳军卢烁今赵佳田晓丽吴振兴
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一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量...
张文亮朱阳军王波褚为利谈景飞陈宏
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逆导型IGBT发展概述被引量：11
2012年
逆导型绝缘栅双极型晶体管是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构以及快恢复二极管(FRD)元胞结构集成在同一个芯片上。逆导型IGBT器件具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等诸多优点,但是逆导型IGBT的电压回跳现象限制了它在实际中的应用。研究了逆导型IGBT器件的结构原理以及回跳现象产生的原因,介绍了引导区结构和背面版图正交布局两种有效抑制回跳现象的方法。通过合理的设计,逆导型IGBT基本上克服了传统的特性缺陷,这将使逆导型IGBT在未来有更为广阔的应用前景。
张文亮田晓丽谈景飞朱阳军
关键词：绝缘栅双极型晶体管引导区
一种逆导型IGBT的背面版图布局
本实用新型公开了一种能够同时消除短路集电极型逆导IGBT产生的初次回跳和二次回跳的逆导型IGBT的背面版图布局，属于半导体器件技术领域。该背面版图布局，包括P<Sup>+</Sup>集电区、N<Sup>+</Sup>短路...
张文亮田晓丽朱阳军卢烁今
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