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颜志强

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:广东工业大学更多>>
发文基金:广东省教育部产学研结合项目广州市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇铜源
  • 2篇锌源
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化亚锡
  • 2篇SUB
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇预制
  • 1篇原子
  • 1篇阵列
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇溶剂热法
  • 1篇三甲基
  • 1篇三甲基溴化铵
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铜基
  • 1篇热法

机构

  • 6篇广东工业大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 6篇颜志强
  • 5篇魏爱香
  • 5篇招瑜
  • 4篇刘俊
  • 1篇庄米雪
  • 1篇刘军
  • 1篇赵湘辉

传媒

  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇可再生能源

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
预制层中In/Cu原子比对CuInSe_2薄膜成分、结构和形貌的影响
2013年
采用磁控溅射技术,共溅射CuIn合金靶和纯In靶,CuIn合金靶的溅射功率不变,通过改变纯In靶的溅射功率,制备了具有不同In/Cu原子比的CuIn预制层;然后以固态硒粉为硒源,采用三步升温硒化方式对CuIn预制层进行硒化。通过EDS、XRD和SEM分析方法,研究了预制层中不同的In/Cu原子比对铜铟硒(CIS)薄膜的成分、结构和形貌的影响。结果表明:CIS薄膜主要由CuInSe2相构成,但存在少量的CuSe相,随着CuIn预制层中In/Cu原子比的逐渐增大,CuSe相所占比例减少,CIS薄膜中In/Cu和Se/(Cu+In)的比值也相应增大,CuInSe2大颗粒分布逐渐均匀,大颗粒之间的细小颗粒逐渐消失。
颜志强魏爱香招瑜刘军赵湘辉
关键词:磁控溅射技术表面形貌
一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜的制备方法及其应用
本发明公开了一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜的制备方法及其应用,该方法以无水乙醇为溶剂,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,草酸为还原剂,氯化铜水合物为铜源,氯化锌为锌源,氯化亚...
魏爱香颜志强招瑜刘俊陶万库
文献传递
一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜的制备方法及其应用
本发明公开了一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>半导体薄膜的制备方法及其应用,该方法以无水乙醇为溶剂,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,草酸为还原剂,氯化铜水合物为铜源,氯化锌为锌源,氯化亚...
魏爱香颜志强招瑜刘俊陶万库
文献传递
Cu_2ZnSnS_4纳米晶的溶剂热法制备和表征被引量:2
2013年
利用溶剂热制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)球形纳米晶。采用x射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散谱(EDS)和紫外一可见分光光度计对产物的物相结构、形貌、化学组分及光学性能进行表征。结果表明:所制备的CZTS球形纳米晶具有锌黄锡矿结构,球形颗粒的直径为190~300nm,每个球形颗粒是由很多平均尺寸大约24nm的纳米晶构成。纳米晶具有锌黄锡矿结构,其禁带宽度约为1.55eV。同时研究了反应前驱溶液中不同量的硫脲和氯化锌对所制备的CZTS纳米颗粒的结构、原子组分比和形貌的影响规律,并对其形成机理进行了初步探讨。
颜志强魏爱香招瑜刘俊
关键词:光学性能
铜基化合物薄膜太阳能电池光吸收层材料研究
铜基化合物薄膜(包括CuInSe2、CuInS2、CuIn1-xGaSe2和Cu2ZnSnS4等)太阳能电池是极具潜力的低成本的薄膜电池。特别是铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,简称CZTS)薄膜吸收系数高,禁带宽度为1.5...
颜志强
关键词:太阳能电池纳米材料
文献传递
CuInS2纳米纸阵列薄膜的制备及生长机理
2014年
采用溶剂热合成技术,以氯化铜、硝酸铟和硫脲为反应物,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为阳离子表面活性剂,草酸为还原剂,无水乙醇为溶剂,直接在掺氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)衬底上合成CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、能量色散谱(EDS)、紫外-可见(UV-Vis)反射光谱和透射光谱对样品的形貌、结构、成分和光学性能进行分析.结果表明,在适当的反应物浓度下,在FTO衬底上形成了垂直衬底生长的、具有良好结晶性能的黄铜矿结构的CIS纳米纸阵列薄膜.CIS薄膜中Cu,In,S的原子比为1.1∶1∶2.09,在紫外-可见和近红外波段具有良好的光吸收特性,禁带宽度约1.51 eV.结合不同反应时间制备的CIS薄膜的形貌、结构和成分分析,讨论了CIS纳米纸阵列薄膜的生长机理.
庄米雪魏爱香刘俊颜志强招瑜
共1页<1>
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