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朱红兵

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：华东师范大学理工学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇低真空
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇褚家宝
  • 1篇孙卓
  • 1篇黄士勇
  • 1篇黄素梅
  • 1篇陈奕卫
  • 1篇朱红兵
  • 1篇李晓冬

传媒

  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜(英文)被引量：4
2007年
在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、10%氧化锡的陶瓷靶。用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构,用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分。ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80%～95%)。在低工作气压(1Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好。在高工作气压(2Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜。
李晓冬朱红兵褚家宝黄士勇孙卓陈奕卫黄素梅
关键词：射频磁控溅射X射线光电子能谱
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