高靖欣
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- Si基CeO2/Tb4O7超晶格薄膜发光特性的研究
- 2011年
- 利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了CeO2/Tb4O7超晶格样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜样品在488,544,588以及623nm左右出现Tb3+的四个典型发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明,CeO2薄膜在高温下失氧,发生Ce4+→Ce3+转变,Ce3+吸收紫外光后,Ce3+与Tb3+发生能量传递,产生发光。通过改变Tb4O7薄膜厚度,研究了Tb4O7层厚对超晶格发光的影响,结果显示在Tb4O7层厚为0.5nm时,发光强度最大;Tb4O7层厚大于0.5nm时,由于Tb3+间的能量传递,产生浓度猝灭。同时,对超晶格样品在900～1 200℃之间进行了不同温度、不同时间的退火,结果显示在1 200℃下进行2h的退火,薄膜发光强度达到最大。研究认为,Ce3+的浓度、氧空位缺陷以及Ce3+与Tb3+间距的变化是导致这一结果的主要原因。
- 王申伟衣立新丁甲成高靖欣郭逦达王永生
- 关键词：超晶格浓度猝灭
- Si基CeO_2薄膜的发光特性
- 2010年
- 利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明：CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4＋→Ce3＋离子转变,Ce3＋离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择9001 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示：在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。
- 王申伟衣立新丁甲成高靖欣王永生
- 关键词：CEO2光致发光
- 柠檬酸钾电子注入层对有机电致发光器件的影响(英文)
- 2012年
- 使用柠檬酸钾(C6H5K3O7)作为电子注入材料,制备了多层有机电致发光器件。当柠檬酸钾阴极修饰层厚度为0.5 nm时,得到3.6 cd/A的发光效率,高于0.5 nm LiF作阴极修饰层时的发光效率(2.5 cd/A)。器件的开启电压相比0.5 nm LiF作阴极修饰的器件降低了0.5 V。实验结果表明,柠檬酸钾(C6H5K3O7)是一种良好的电子注入材料。
- 赵建伟高靖欣李佳
- 关键词：有机发光二极管柠檬酸钾电子注入层
- 波长可调的nc-SiC量子点的制备及其发光特性的研究
- 随着科学技术的飞速发展，硅基光电集成被公认为是提升信息传递速度的有效途径之一，但如何制备高效稳定的硅基发光器件仍是当前研究的难点。SiC作为第三代半导体材料，有很多的优良特性，特别是其优秀的光电性能，使它成为光电集成领域...
- 高靖欣
- 关键词：反应溅射SIO2薄膜发光特性
- 文献传递
