王连轩
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：重庆大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- Ga_(2n)(n=1～4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究被引量：3
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga_(2n)(n=1～4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析.结果表明,Ga_2,Ga_4团簇的基态都是自旋极化态,Ga_6团簇的能量局域极小的八面体结构也具有自旋极化;这些团簇的最外层分子轨道的空间分布是对称的,最外层分子轨道之间的能量相差很小,最外层分子轨道的近简并引起了自旋极化;对称性较高的团簇容易形成近简并的最外层分子轨道.
- 王连轩王新强樊玉勤刘高斌
- 关键词：密度泛函理论自旋极化
- Cr掺杂AIN半导体电磁性质的第一性原理研究
- 2009年
- 基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，在广义梯度近似（GGA）下分别计算了无掺杂和掺杂过渡金属Cr原子的AIN半导体的电磁性质，结果表明，掺杂后AIN由半导体转变为半金属，并具有较宽的半金属能隙。当掺杂浓度为25％、12．5％、5．6％o时，半金属能隙分别为0．8eV、1．1eV、1．2eV。以掺杂浓度为12．5％的Cr-AIN（2×2×1）为例，详细分析了其能带结构、态密度分布和电子布居数以及磁矩等。
- 樊玉勤王新强王连轩胡凯燕
- 关键词：AIN电磁性质态密度
- Cr掺杂浓度对AlN半金属性影响的第一性原理研究被引量：3
- 2010年
- 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下计算了掺杂过渡金属Cr原子后AlN晶体自旋极化的能带结构、分态密度等性质.结果表明,半金属能隙随着掺杂浓度的增大而减小.文中以掺杂浓度为12.5%的Cr—A1N(2×2×1)为例,分析了其自旋极化的能带结构、分态密度和磁矩等性质,发现Cr—3d电子对自旋向下子带导带底的能量位置起决定作用.随着掺杂浓度的增大,Cr原子间相互作用增强,Cr—3d能带向两边展宽,导致自旋向下子带导带底的能量位置下降,从而半金属能隙变窄.
- 樊玉勤王新强刘高斌王连轩胡凯燕
- 关键词：ALN半金属态密度
- Ⅲ族金属及Ga/_mN/_n团簇性质的第一性原理研究
- 低维多原子体系如团簇、量子点、量子线、超薄膜等的电子结构和物理化学性质与三维固体有显著差别,而团簇的理论研究是理解这种低维效应的起点。s2p1的电子构型使得IIIA族元素的小团簇表现出一些奇特的性质,近年来一直是人们研究...
- 王连轩
- 关键词：自旋极化
- 文献传递
- Ga2n(n=1~4)团簇自旋极化机理的密度泛函理论研究
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下对Ga2n(n=1～4)团簇进行了几何结构优化和结合能计算,并对其电子结构及成键特性进行了分析,结果表明,Ga2,Ga4团簇的基态都是自旋极化态,Ga6团簇...
- 王连轩王新强樊玉勤刘高斌
- 关键词：密度泛函理论自旋极化
