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焦芳芳

作品数:4 被引量:13H指数:2
供职机构:河北大学化学与环境科学学院更多>>
发文基金:河北省教育厅博士基金河北大学研究基金资助更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇发光
  • 3篇长余辉
  • 3篇EU
  • 2篇光材料
  • 2篇发光材料
  • 2篇EU2
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇凝胶
  • 1篇燃烧法
  • 1篇紫色
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土离子掺杂
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇蓝紫色
  • 1篇光谱
  • 1篇LN
  • 1篇掺杂
  • 1篇长余辉发光
  • 1篇长余辉发光材...

机构

  • 4篇河北大学
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 4篇焦芳芳
  • 3篇翟永清
  • 2篇张爽
  • 2篇牛强
  • 2篇郭冰
  • 1篇冯仕华
  • 1篇张张

传媒

  • 1篇稀土
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 3篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Eu、Tb掺杂碱土多硅酸盐发光材料的研究
硅酸盐体系发光材料由于其化学稳定性好,耐水性强,发光颜色多样,应用广泛等特点,越来越引起人们的重视。这类材料多采用传统的高温固相法制备,该法具有烧结温度高,反应时间长,产物晶粒大,硬度高等诸多缺点。   凝胶-燃烧法是...
焦芳芳
关键词:稀土离子掺杂发光材料长余辉荧光光谱
文献传递
新型蓝色长余辉发光材料SrMgSi_2O_6:Eu^(2+),Dy^(3+)的制备及性质(英文)被引量:7
2008年
采用凝胶-燃烧法成功合成了新型蓝色硅酸盐长余辉发光材料SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+。用X射线粉末衍射仪、扫描电镜、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明:SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+的晶体结构与Sr2MgSi2O7相同,均为四方晶系。样品一次颗粒外形基本呈球形,平均粒径约100 nm。激发光谱为一宽带,主激发峰位于400 nm左右,次激发峰位于415 nm左右。发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于470 nm附近,是典型的Eu2+的4f5d→4f跃迁导致的。合成的SrMgSi2O6:Eu2+和SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+均具有长余辉发光特性。与SrMgSi2O6:Eu2+相比,SrMgSi2O6:Eu2+,Dy3+的余辉亮度高、余辉时间长(约4 h),因此,Dy3+是一种理想的共掺杂离子。此外,还探讨了Eu2+,Dy3+浓度、还原温度和H3BO3用量等对材料发光强度的影响。
翟永清焦芳芳张张张爽牛强
关键词:发光长余辉
新型长余辉发光材料SrMgSi_2O_6:Eu^(2+),Ln^(3+)的制备及性质被引量:1
2009年
采用凝胶-燃烧法合成了系列稀土离子掺杂的Sr0.94MgSi2O6:Eu20.+02,Ln03.+04(Ln=La,Ce,Nd,Sm,Gd,Dy)蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明:掺杂了不同稀土离子的SrMgSi2O6:Eu2+,Ln3+的晶体结构均为四方晶系结构;其激发、发射光谱的峰形、峰位基本无变化,激发光谱为一宽带,最大激发峰位于400nm处,次激发峰位于415nm处,发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于470nm附近,是典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的,不同之处在于其激发光谱、发射光谱强度及余辉性质有所差别,其中Dy3+是最理想的共掺杂稀土离子,Sr0.94MgSi2O6:Eu20.+02,Dy30.+04的余辉时间最长,可达4h;而Sm3+最差,Sr0.94MgSi2O6:Eu02.+02,Sm03.+04的余辉亮度最低,余辉时间最短。
翟永清焦芳芳郭冰冯仕华
关键词:发光长余辉稀土
蓝紫色发光材料CaMgSi2O6:Eu^2+的凝胶-燃烧法合成及表征被引量:4
2009年
利用凝胶-燃烧法在弱还原气氛中合成了高亮度的蓝紫色CaMgSi2O6∶Eu2+荧光材料,研究了Eu2+不同掺杂浓度及还原温度对材料发光性能的影响,得出Eu2+的浓度为2%,还原温度为1100℃时,材料的发光性能最好。光谱分析表明,此发光体在450nm处有一个宽的发射峰,这个发射峰是由Eu2+的4f65d1→4f7跃迁所导致的,Eu2+在CaMgSi2O6∶Eu2+中形成六配位的发光中心。
翟永清焦芳芳郭冰张爽牛强
关键词:发光
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