胡海明
- 作品数：4 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅规划基金陕西省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：机械工程金属学及工艺理学更多>>
- 超声作用下的硬脆材料研磨装置
- 超声作用下的硬脆材料研磨装置，包括研磨盘和载物盘，载物盘位于研磨盘的上面，晶片设置在载物盘与研磨盘之间，载物盘与导轮电机、滑台及超声波发生器连接，超声波发生器产生的超声频振动作用于载物盘上，载物盘在导轮电机带动下相对于研...
- 李淑娟崔丹李言胡海明刘永赵智渊
- 文献传递
- SiC单晶片研磨过程材料去除率仿真与试验研究被引量：9
- 2013年
- 分析了SiC单晶片研磨过程的材料去除机理,采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律,推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式。依据SiC单晶片—磨粒和研磨盘—磨粒接触处的变形情况,建立了SiC单晶片研磨过程材料去除率(MRR)的预测模型。以该模型为基础,讨论了研磨盘硬度、压力和磨粒粒度等因素对MRR的影响,并进行了相同条件下的研磨试验。理论计算与试验结果对比分析表明:所建立的模型可以较准确地预测SiC单晶片研磨过程的MRR;为其他单晶材料研磨过程MRR的预测和控制提供了参考依据。
- 胡海明李淑娟高晓春李言
- 关键词：机械制造工艺与设备材料去除率
- SiC单晶片研磨机理及材料去除率研究
- 随着电子工业的快速发展,对半导体材料的需求越来越大,对各种元器件的性能要求也越来越高。碳化硅(SiC)单晶作为理想的半导体材料,需求量日益增加,但其高强度、高硬度和高脆性,使其加工成高精度、高质量的元器件成为一大难题。研...
- 胡海明
- 关键词：研磨材料去除率试验验证
- 文献传递
- SiC单晶片研磨机理及试验被引量：6
- 2013年
- SiC因其优良的物理机械性能而广泛应用于大功率器件以及IC领域。但其高的硬度和脆性导致其加工过程非常困难。本文分析了SiC单晶在研磨过程中的材料去除机理,讨论了塑性去除时磨粒的临界切削深度,建立了塑性条件下的材料去除模型。采用不同粒度的金刚石磨粒对SiC晶片进行研磨实验,验证了理论模型的正确性,结果表明在塑性模式下的材料去除能获得良好的表面形貌和较低粗糙度,同时对不同磨粒粒度的材料去除率进行了讨论。
- 李淑娟胡海明李言高新勤
- 关键词：SIC单晶研磨表面粗糙度
