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罗昌俊

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电化学
  • 5篇电化学沉积
  • 5篇电脉冲
  • 3篇CU2O
  • 2篇显微结构
  • 2篇O
  • 1篇电化学沉积法
  • 1篇电化学制备
  • 1篇电阻
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇化学制备
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻

机构

  • 4篇湖北大学
  • 1篇中南财经政法...

作者

  • 5篇罗昌俊
  • 4篇杨昌平
  • 2篇阚芝兰
  • 1篇王瑞龙
  • 1篇刘国珍
  • 1篇石大为
  • 1篇王红霞

传媒

  • 2篇平顶山学院学...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
电化学沉积法制备Cu_2S薄膜及EPIR效应
2013年
以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu2S薄膜.通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对Ag/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应测试.结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2S结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/Cu2S结点而言,Ag/Cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显.另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关.对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0.000 1 s.
王红霞罗昌俊阚芝兰石大为杨昌平
关键词：电化学沉积
Cu_2O的EPIR效应与忆阻器行为研究
基于电脉冲诱导电阻转变效应(Electric-Pulse-Induced Resistance Switching, EPIR)的电阻式随机存储器(RRAM)由于其可在室温发生,高低阻态转换速度快(<10ns)、可逆、阻...
罗昌俊
关键词：电化学沉积
文献传递
Cu_2O薄膜的电化学制备及EPIR效应
2013年
以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备了Cu2O薄膜样品和Cu/Cu2O/Cu/FTO器件.通过XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征和分析,并对Cu/Cu2O/Cu/FTO器件的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应进行了测量.结果表明室温下Cu/Cu2O/Cu/FTO中存在明显的EPIR效应和忆阻器行为且与溶液酸碱性有关.在酸性和中性条件下,即pH=5、6、7时,Cu/Cu2O/Cu/FTO存在显著的EPIR效应,随着pH值的增加效应趋于减弱,当脉冲电压为6 V,脉冲宽度为0.001 s时,样品具有最大EPIR值.随pH进一步增加,在pH=8、9、10的碱性条件下,Cu/Cu2O/Cu/FTO的EPIR效应消失.
罗昌俊阚芝兰杨昌平刘国珍王瑞龙
关键词：CU2O电化学沉积
Cu2O电脉冲诱导电阻转变效应(EPIR)的起源
题组在系统研究锰氧化物庞磁电阻(Colossal Magnetoresistance,CMR)及庞电致电阻(Colossal Electroresistance,CER)效应的基础上,本文着重研究了简单氧化物Cu2O电致...
罗昌俊杨昌平
关键词：磁电阻电化学沉积显微结构
Cu2O电脉冲诱导电阻转变效应(EPIR)的起源
本课题组在系统研究锰氧化物庞磁电阻(Colossal Magnetoresistance,CMR)及庞电致电阻(ColossalElectroresistance,CER)效应[1-2]的基础上,本文着重研究了简单氧化物...
罗昌俊杨昌平
关键词：电化学沉积显微结构
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