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文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 14篇电池
  • 13篇太阳能电池
  • 11篇太阳能
  • 9篇扩散层
  • 8篇绒面
  • 8篇减反膜
  • 8篇硅太阳能电池
  • 6篇晶体硅
  • 6篇晶体硅太阳能...
  • 5篇电极
  • 5篇硅片
  • 5篇背电极
  • 3篇体硅
  • 3篇光电转换
  • 3篇光电转换效率
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电学性能
  • 2篇钝化

机构

  • 14篇浙江正泰太阳...

作者

  • 14篇牛新伟
  • 14篇韩玮智
  • 14篇石强
  • 6篇李永辉
  • 5篇金建波
  • 5篇李旺
  • 3篇单伟
  • 3篇胡金艳
  • 1篇陆川
  • 1篇陆威
  • 1篇李永辉

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2013
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种准单晶硅太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:对准单晶硅片进行分类;根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述...
石强韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
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一种准单晶硅太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:对准单晶硅片进行分类;根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述...
石强韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
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双层SiN_x∶H减反膜多晶硅太阳电池及其组件性能研究被引量:1
2015年
利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx:H薄膜,其中底层和顶层SiN;折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17nm和67nm。薄膜的折射率通过改变反应气体的Si/N比进行调控,底层SiN,制备时Si/N比越大,反射率越低,而电池Jsc先增加后下降。反射率曲线、外量子效率(EQE)和电学性能表明,和单层膜相比,双层膜的短波部分(300—650nm)反射率远低于单层膜;其电池在680~950nm波段光谱响应较单层膜稍好;电池Uoc和Isc均有较大提升,光电转换效率绝对值提高了0.193%。同时,双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件。
石强单伟胡金艳韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
关键词:功率损失
一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法
本发明公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背...
石强韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
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一种上转换太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种上转换太阳能电池的制备方法,该方法包括如下步骤:在硅片的正面形成绒面;在所述硅片正面形成P-N结;在所述P-N结上形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极/上转换器系统;在所述硅片正面形成正电极。相应的,本发...
石强李旺陆威韩玮智牛新伟蒋前哨金建波陆川仇展炜
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一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池
本发明公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明提供的方法包括步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片背面制备复合电介质膜,所述复合电...
石强韩玮智牛新伟
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一种太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种太阳能电池的制备方法,该方法包括以下步骤:对金刚线切割的硅片依次进行碱性腐蚀和酸性腐蚀;对腐蚀后的所述硅片进行反应离子刻蚀制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所...
石强韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
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一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:在硅片的正面形成绒面;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片正面形成第一减反膜;在所述第一减反膜上形成第二减...
石强胡金艳李旺韩玮智牛新伟蒋前哨金建波仇展炜
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一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法,包括以下步骤:在硅片正面形成绒面;在硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层;在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背...
石强韩玮智牛新伟蒋前哨李永辉仇展炜
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一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池
本发明公开了一种背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法及太阳能电池。本发明提供的方法包括步骤:在硅片正面形成绒面;在所述硅片正面进行P扩散,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片背面制备复合电介质膜,所述复合电...
石强韩玮智牛新伟
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共2页<12>
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