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ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索被引量：3: 2007年; 对掺杂过渡金属(TM)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要,低生长温度、高氧偏压和较少的TM离子掺杂浓度能促使TM掺杂物的均一分布,并能削弱反铁磁性(AFM)交换进而增进铁磁性(FM)交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的,载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。; 居健吴雪梅诸葛兰剑; 关键词：稀磁半导体铁磁性

Cr掺杂ZnO薄膜的结构和性质研究: 氧化锌/(ZnO/)作为一种新的半导体材料越来越吸引更多研究人员的关注,它的晶格常数为a=0.32533 nm,c=0.52073 nm,ZnO具有六方纤锌矿结构,每个锌原子在四面坐标系里都被四个氧原子围绕着。由于/(0...; 居健; 关键词：射频磁控溅射光学带隙磁性; 文献传递

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居健