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郑钢

作品数：10 被引量：4H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院应用电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇激光
  • 7篇激光器
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 5篇腔面
  • 4篇压焊
  • 4篇二极管
  • 3篇封装
  • 3篇高反射膜
  • 3篇SMILE
  • 2篇低应变
  • 2篇散热
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇碳纳米管薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇绝缘层厚度

机构

  • 10篇中国工程物理...

作者

  • 10篇武德勇
  • 10篇郑钢
  • 9篇李弋
  • 8篇高松信
  • 7篇雷军
  • 3篇唐淳
  • 1篇关有光

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇第10届全国...

年份

  • 3篇2014
  • 7篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的...
郑钢雷军李弋武德勇
文献传递
二极管激光器线阵smile产生原理与实验分析
二极管激光器(DL)的smile效应对于激光器的光束质量和寿命都产生了消极的影响,本文讨论了smile效应产生的机理,建立了smile效应产生的物理模型,从而分析了控制smile效应的手段。在试验研究中通过选取低膨胀系数...
郑钢雷军李弋高松信武德勇关有光唐淳
关键词：低应变SMILE半导体激光封装
具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法。包括以下步骤：在衬底上依次外延生长下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，然后制备金属电极...
郑钢李弋高松信武德勇
文献传递
增强散热的半导体激光器及其制备方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是增强腔面散热的半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，以及上下金属电极，在半导体激...
郑钢高松信李弋武德勇
文献传递
二极管激光器线阵smile产生原理与实验分析
过大的smile效应是影响半导体激光器广泛应用的一个重要的因素。本文主要研究了半导体激光器线阵smile效应产生的机理与封装工艺过程之间的联系,发现了两种有效的降低其数值的方法。通过采用低膨胀系数材料的压条装配可以减小焊...
郑钢雷军李弋高松信武德勇唐淳
文献传递
增强散热的半导体激光器及其制备方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是增强腔面散热的半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，以及上下金属电极，在半导体激...
郑钢高松信李弋武德勇
二极管激光器阵列封装工艺对smile效应影响因素分析被引量：4
2014年
Smile效应是限制二极管激光器阵列应用的一个重要因素。研究了激光器封装工艺对smile效应的影响,研究结果表明,造成smile效应的因素主要有两个:一是焊接过程中芯片的焊接压力不均匀;二是芯片与热沉的热膨胀系数不匹配。使用低膨胀系数的压条可以改善焊接过程中芯片压力的均匀性,而增大焊料凝固过程中的降温速率可以降低芯片与热沉的收缩量的差距,这两种方法都有利于改善smile效应。最后通过实验结果证明了以上方法在实际操作中是可行有效的。
李弋郑钢雷军高松信武德勇
关键词：低应变二极管激光阵列封装
GD03-020二极管激光器线阵smile产生原理与实验分析
过大的smile效应是影响半导体激光器广泛应用的一个重要的因素.本文主要研究了半导体激光器线阵smile效应产生的机理与封装工艺过程之间的联系，发现了两种有效的降低其数值的方法.通过采用低膨胀系数材料的压条装配可以减小焊...
郑钢雷军李弋高松信武德勇唐淳
文献传递
半导体激光器的封装方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是利用热沉散热的半导体激光器的封装方法，含以下步骤：在热沉上制备含有碳纳米管的焊料；将半导体芯片置于热沉上并固定，在半导体芯片上放置低膨胀系数玻璃压条，低膨胀系数玻璃压条上放置压块；通过升...
郑钢雷军高松信武德勇
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超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法
本发明涉及一种半导体激光器，特别是超薄绝缘层半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，上下金属电极层，前后腔面分别镀的...
郑钢雷军李弋武德勇
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