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王志姣

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇记录层
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电阻率
  • 1篇数据记录
  • 1篇热分解
  • 1篇无毒
  • 1篇环境友好
  • 1篇基板
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光存储
  • 1篇光存储器
  • 1篇反射率
  • 1篇波导
  • 1篇存储器
  • 1篇V

机构

  • 3篇南京邮电大学

作者

  • 3篇李兴鳌
  • 3篇王志姣
  • 2篇赵晋阳
  • 2篇陈晃毓
  • 2篇潘聪
  • 2篇杨涛
  • 2篇李晓峰
  • 1篇黄维
  • 1篇杨建平
  • 1篇杨建波
  • 1篇杨柳青

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究被引量：1
2015年
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
黄赛佳侯雨轩侍宇雨王志姣杨柳青杨建波李兴鳌
关键词：V磁控溅射反射率电阻率
基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法
本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法，该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一...
李兴鳌赵晋阳李晓峰陈晃毓潘聪王志姣杨涛杨建平黄维
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基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法
本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制造方法，具体制备方法为：a.选择稳定性强的透明材料为基底，利用磁控溅射的方法制备出氮化铜薄膜；b.在完成上一步后，将镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的尺寸和形状，基...
李兴鳌赵晋阳李晓峰陈晃毓杨涛潘聪王志姣孙俊冬
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