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冯俊波

作品数:4 被引量:8H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇闪耀光栅
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振态
  • 2篇耦合器
  • 2篇光栅
  • 2篇光栅参数
  • 2篇光栅耦合
  • 2篇光栅耦合器
  • 2篇波长
  • 2篇波导
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇电子学
  • 1篇淀积
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇集成光学
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学

机构

  • 4篇北京大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 4篇周治平
  • 4篇冯俊波
  • 1篇陈曜
  • 1篇王冰
  • 1篇王兴军
  • 1篇于军

传媒

  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
硅基微纳光电子系统中光源的研究现状及发展趋势被引量:7
2009年
综合微电子学及微纳光学的优势,硅基微纳光电子学正在快速走向实用阶段。与微电子制造技术兼容的微纳光子器件,包括调制器、探测器、分束器以及耦合器等均取得了重要的突破。但硅基微纳光源的研究则仍处在探索阶段。外部光源在多大程度上能代替片上光源?片上光源的最佳选择是什么?介绍、分析了目前硅基微纳光源的研究现状及进展,并对片上光源的研究趋势进行展望。
周治平王兴军冯俊波王冰
关键词:集成光学
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用被引量:1
2009年
以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率、成分和粗糙度进行了分析,优化了薄膜淀积工艺.以每周期单分子层的生长模式进行氮化铝薄膜淀积,淀积速率为每周期0.205 nm,厚度为61 nm的薄膜粗糙度为0.69 nm.利用原子层淀积氮化铝薄膜的保型性,通过nm级薄膜厚度的控制,制备了复杂的环形光子晶体器件,其工艺精度高达50 nm.
陈曜冯俊波周治平于军
关键词:氮化铝原子层淀积保型性粗糙度
一种光栅耦合器及其在偏振和波长分束上的应用
本发明公开了一种光栅耦合器,由上至下依次包括上包层、光栅层、波导层和下包层,所述光栅层采用二元闪耀光栅,所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。本发明所提供的二元闪耀光栅耦合器可以获得高的耦合效率,实现完全...
周治平冯俊波
文献传递
一种光栅耦合器及其在偏振和波长分束上的应用
本发明公开了一种光栅耦合器,由上至下依次包括上包层、光栅层、波导层和下包层,所述光栅层采用二元闪耀光栅,所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。本发明所提供的二元闪耀光栅耦合器可以获得高的耦合效率,实现完全...
周治平冯俊波
文献传递
共1页<1>
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